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关于管子的Vgsteff

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发表于 2010-8-24 09:48:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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采用Smic0.18um process,降低管子Vgesteff的途径有哪些?

如何调试能试Vds绝对值大于Vdsat绝对值?Vdsat具体改变什么能改变它?
发表于 2010-8-26 17:02:37 | 显示全部楼层
(1)是Vgsteff,not Vgesteff![/color]
Vgsteff may be the abbreviation of "Vgs effective",which means Vgs minus Vth. Vgs-Vth=Vov.
to make it lower ,you just decrease the over-drive of the MOSFET.
(2)in order to make sure that the absolute value of Vds is above that of Vdsat which is normally equal to Vov,but due to the short channel effect(for example,the 0.18um process)
,it always has a bigger value,you should leave a suffiecient voltage margin for Vds.
Therefore,you can alter the value of Vdsat through decreasing the Vov or substitute the short channel length for a longer one for example to 1 micro meter.but these approachs may not satisfy your design , so you should think before you leap!
 楼主| 发表于 2010-8-27 11:18:14 | 显示全部楼层
谢谢哈  smic018process中,VDD=1.8V,是不是Vgsteff在100m到200m之间好呢?为什么啊?呵呵
发表于 2010-8-31 09:56:27 | 显示全部楼层
Maybe a shorter length is better for a transistor in saturation region,namely Vds>Vdsat.
发表于 2010-11-5 14:13:02 | 显示全部楼层
Vdsat一般取Vth的30 percent
发表于 2010-12-11 18:33:09 | 显示全部楼层
学习了,谢谢啊
头像被屏蔽
发表于 2010-12-30 15:47:27 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2019-5-31 09:28:33 | 显示全部楼层
请教下,参数gmbs是指什么?
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