S型U型倒比管

sanmuyang

gate在有源区注入之前已经形成，由于自对准，有源区在注入时gate下面的有源区会被阻挡掉，如左边的S型倒比管中只会形成源漏区域的有源区，我觉得这个S型倒比管的沟道等效于右边的MOS管沟道，但是看很多S型倒比管的资料，它的有效沟道长度L都是以gate覆盖下的S型有源区长度来算的，有没有大神解释一下

tjjsjin

请问在什么条件下会用到上面两种类型的管子呢？
我是做射频版图的，完全没见过这种管子。
谢谢

sanmuyang

回复 2# tjjsjin


   只有左边一种管子，右边的是我觉得可以等效左边的一种管子，倒比管L/W>1（有时候会画成S型U型，图中左边的是S型，U型没有画出来），一般BG等模块都有用到

yanpflove

你好，
（先说前提，你给了layout，没给层次说明，我推断蓝色是有源区，红色是poly，这个推断若错误，以下便都是废话，请无视）
你有两处概念没有理解清楚：
1，没有理解“有源区”和“注入”的概念。
——你提到：“有源区会被阻挡掉”，“只会形成源漏区域的有源区”——说明你混淆了有源区和注入，请复习下工艺流程，以下简单提一提。
以NMOS为例，NMOS需要做在P型区域上，比如p-sub，pwell等。
P型区域上会存在厚厚的场氧化层，这层太厚了，注入穿不过去的；把场氧化层挖掉一小块，这一小块就是有源区，也叫槽区”moat“，也叫”薄氧“，也叫……，还有很多种别称，此处不作展开。有源区上生长薄薄的栅氧化层。栅氧化层上淀积多晶硅以形成栅极，栅极两测注入N型杂质，形成NMOS的源漏区。
2，没有理解“沟道”和“反型”的概念。
“沟道”是因为“反型”而产生的。
gate-poly下阻挡了N型注入，所以仍然是P型区域，即衬底B，bulk or body，他是P型的；
源漏区是N型注入；栅极gate-poly和Bulk之间加电压，达到阈值，P型 bulk反型，形成N型电子沟道，与源漏之间的N型注入形成电连接，沟道导通。源漏之间的电子的漂移路径，才是沟道长度。沟道只在gate-poly下才存在，所以沟道长度是S型poly的长度。

poly_lq

沟通怎么形成的基本概念你没搞清楚

sanmuyang

回复 5# poly_lq


   一般的NMOS管gate下方还是P型衬底（有大量的空穴），源漏是N+（有大量的电子），gate加正压导致gate下方的衬底聚集电子形成反型层，源漏如果有压差，电子就会通过反型所形成的区域，源漏导通，源漏两端之间的反型层长度就是沟道长度，这是我的理解。
   也就是说gate下方的有源区是没有作用的，在S型倒比管中也一样，所以我就觉得图中左边的S型倒比管是等效于右边的MOS管的，而好多资料中S型倒比管的沟道长度是以gate下方的S型有源区来算的，这是我的疑惑。

    理解有误请指正！！！！

sanmuyang

还是说在工艺中 和有源区重合部分的gate 与 其他的gate生成的时候有什么不同，导致S型倒比管是以S型有源区的形状形成沟道的呢

poly_lq

poly不等于gate啊

sanmuyang

回复 8# poly_lq


   刚找了一下工艺方面的书，现在明白了

lodestar6666

红色为有源区，蓝色为gate，有源区上形成栅氧再淀积多晶硅能形成导电沟道，有源区之外的区域是厚的氧化层，为场氧，上面有gate也不会形成导电沟道。所以电流是沿着S型区域流通的。