FinFet PDK 与目前的PDK有哪些大的区别？

barpdista

FinFet 目前有PDK吗？PDK有什么大的区别？

liuwj5500

2D与3D结构差异还是蛮大

andyfan

对double pattern的支持就是很大的一个区别。

另外，抽寄生方面要难很多，因为double pattern会造成层之间的shift；而且之前CT层由一层光罩变成4层光罩，中间层的寄生抽取现在单独独立出来了。

liuwj5500

thank you for sharing

bella427

回复 3# andyfan


    请问能说明详细点吗？FINFET D/S 用SIC/SIGE的原因？

andyfan

回复 5# bella427


    应力啊，利用stress提高迁移率。P管用SIGE不是FIN开始的(14/16nm)，40G的工艺就已经开始在用了（40LP还没有），28则是所有工艺都在用。

lijie5992373

bella427 发表于 2018-11-12 09:18
回复 3# andyfan

SIGE增强沟道空穴的迁移率，SIC增强沟道电子的迁移率。原子半径： Ge>SI>C
那么SI中掺杂Ge，相当于丢颗石子(Ge)到沙子(SI)中，对外会膨胀(压应力), 在S/D区域外延SIGE，那么SIGE对channel就会有压应力，channel中的SI原子间距变小，就提高了空穴的迁移率。
SIC反之。

Tonyhai

lijie5992373 发表于 2019-5-17 16:30
SIGE增强沟道空穴的迁移率，SIC增强沟道电子的迁移率。原子半径： Ge>SI>C
那么SI中掺杂Ge，相当于丢颗石 ...

SiC 怎么提高 电子迁移率，帮忙解释下，不好理解，多谢

lijie5992373

Tonyhai 发表于 2020-10-28 11:15
SiC 怎么提高 电子迁移率，帮忙解释下，不好理解，多谢

Source/Drain 区域的部分SI原子换成C原子后，因为C原子比SI原子小，所以Source/Drain 区域会收缩，从而导致Source/Drain中间的沟道区域收到拉应力--> 电子迁移率增大

Tonyhai

lijie5992373 发表于 2020-10-28 15:14
Source/Drain 区域的部分SI原子换成C原子后，因为C原子比SI原子小，所以Source/Drain 区域会收缩，从而导 ...

多谢。

再细问下：

（1）压应力 对 空穴迁移率是正向 提升
（2）拉应力 对 电子迁移率 却是正向提升

这是由什么决定的 ？