如何校准横跨导偏置电路的电流？

wjx197733

各位：本人在做一个横跨导偏置电路，这种电路在拉扎维所写的书中有所介绍（第11章图11.3），如下图1所示：

现在我想在所有工艺角下，让这个偏置电路所产生的电流都为2u！为此想用烧写efuse来调节电阻的方法，如图2所示。图2中的RS就是被调节的电阻，其结构如图3所示。
现在的问题是流片以后，这个烧写过程只有一次机会，所以向大家请教一下，如何能一次准确地得到RS的大小，以便知道哪个efuse需要被烧断？
或者大家有相应的资料提供一下？
拜托大伙帮帮忙分析一下，先谢谢啦！！

yry777888

回复 1# wjx197733
up

dires1118@126.c

单纯一个bias电路要测电流有多精准意义不是太大，应从整个IC系统层面考虑。电流比较小，如果这种熔丝二进制的微调方式不见得有多好，可考虑用标称电阻的方式。另外考虑电阻最坏情况有正负20%的偏差。

amswu

拉出一路电流到外部标准阻值的电阻上，然后测量电压，调整内部efuse得到想要的电流。

wjx197733

回复 4# amswu


   同意您的观点！   不过我是拉出一路电流，测试端口电流来判断内部电流大小。
   现在问题解决了，实际上还是设计问题而不是测试思路出现问题。在设计这个电路时，NMOS管的过驱动电压过小，导致在仿真时的得到的结果与理论计算差别很大。现在我把NMOS管和PMOS管的过驱动电压都设计为300mV，在所有corner下，仿真结果与计算结果已经差别很小了！

jotaro1111

The difference of vgs divided by resistor.