M0 系列MCU wafer 功能测试原理

lovelaner

回复 10# wrhwindboy

你提到的是wafer test 我的理解是probing test。 就是probing pin直接测试wafer
通常的测试机 probing card上面有512个pin
如果你的同测数是8个 那么你的每个片子也有64个测试pin
测试时间很贵，测试pin够用的情况下 肯定并行输入节省测试时间

wrhwindboy

回复 11# lovelaner


   并行输入不是会占用很多引脚吗？这样同测得数量就少了。

lovelaner

回复 12# wrhwindboy


   balance between test time and test pin.
我以前做的mass production 的MCU in ram test用的是并行方式输入数据
你根据你的实际情况 我这边的advan tester 有1024 个test pin

charlie_zhang

回复 8# wrhwindboy


   1. 你这个芯片多少门电路，应该不大吧，所以良率应该还可以，应该没有专门的DFT？               2. 如果没有DFT，你只是想测试一下基本的外设逻辑功能，以及主要的memory？   3. 你内部没有专门的ROM程序来干这个事情？
   4. 所以你需要在SRAM中执行测试程序？
   5. 面临两个问题，一是如何将测试程序load到sram中；二是让M0在sram中执行程序？

wrhwindboy

回复 14# charlie_zhang

1. 你这个芯片多少门电路，应该不大吧，所以良率应该还可以，应该没有专门的DFT？  -> 芯片的门数在10万以下，会做DFT设计和memory bist
。             2. 如果没有DFT，你只是想测试一下基本的外设逻辑功能，以及主要的memory？  
-》主要还是测试一下GPIO功能和Analog模块 比如LDO的输出，OSC的频率并且trim，xtal功能等

3. 你内部没有专门的ROM程序来干这个事情？
-》芯片内部没有ROM，只有eFlash和sram

   4. 所以你需要在SRAM中执行测试程序？
-》想在sram里面执行程序，下载到eflash里面如果eflash的电压在trim的时候 LDO的输出被trim到一个低电压，eflash可能就不动了，
如果能解决这个 LDO trim 不会使供给 eflash的电压 变低 ，做成eflash不能正常工作这个问题，在eflash里面执行程序也可以。

   5. 面临两个问题，一是如何将测试程序load到sram中；二是让M0在sram中执行程序？
-》如果想在sram里面执行程序面临的问题是：
1：如何load 测试到sram，可以使用swd，但是swd一个是效率低，另一个是swd相对于系统时钟是异步的，如何解决这个异步引起的 test pattern的 vector 错位问题，比如仿真的 pattern 的第100个step，在实际芯片上跑的时候可能会是第98~102 个step，因为swd是异步的。
2，如何让M0在sram里面执行程序，这个是不是可以通过remap方式或者直接设定pc 值到sram地址就可以了？   

wrhwindboy

回复 13# lovelaner
非常感谢您的回答，给我提供了不一样的思路。那如果采用您的方案，通过第三方的IP下载程序到sram。按我的理解那具体的步骤是不是这样？如果有不妥的地方请不吝赐教。
step1：设定芯片的工作模式 为sram program的测试模式，然后通过pin脚来programsram？


step2：芯片不掉电，重新设定芯片的工作模式为function测试模式，通过reset pin 脚复位，让芯片重新开始工作，
            这种function测试模式，系统时钟和reset都是选择从pin脚直接输入，这样就能保证测试向量的step，芯片实际跑的和我simulation的是严格match的（可能在信号变化的时候要mask 1步或2步，但是整体上来看两者是同步以及match。不会发生因为异步而是pattern match compare 出错）。


不知道这个理解对不对？
            

wrhwindboy

测试。。。。

courageheart

楼主，最后的测试方案是什么？