模拟电路中的存储器问题

cccg · 发表于 2018-5-28 19:39:28

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有大神熟悉otp存储器吗，芯片里面要求不高，就是烧录一组固定的数据，用来调整一些参数，看了一下版图，就是两个串联pmos管，其中一个栅悬空，请问这种结构是常规管子做就可以还是需要加特殊的层次，熟悉的大神讲解下啊！！

sekong179 · 发表于 2018-5-30 11:40:57

感觉是要加特殊层，或者是普通层特殊处理了，写入的时候需要高压的。OTP只能够写一次啊，怎么不用MTP呢？

andyjackcao · 发表于 2018-5-30 17:57:51

有大神熟悉otp存储器吗，芯片里面要求不高，就是烧录一组固定的数据，用来调整一些参数，看了一下版图，就是 ...
cccg 发表于 2018/5/28 19:39

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如果烧录的数据不多，用熔丝或者齐纳二极管，通常FAB都开放这两个器件。
但对于OTP或者EFLASH，NVM等，需要特殊层次，并购买IP才能用

cccg · 发表于 2018-5-31 17:58:54

数据大概30bit，芯片封装好之后才烧录，方便一些，熔丝还得中测的时候才能烧吧，如果有好几种不同的数据，拿去封装怕搞混掉

kfxu · 发表于 2018-6-4 14:18:45

回复 4# cccg

OTP不需要特殊层，但是需要买IP

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