高温下，晶体振荡器的放大电路的静态工作点无法建立

永远的牛虻

在高温下，IO口的漏电电流，流进晶体振荡电路内的反馈电阻，由于反馈电阻较大，造成静态工作点无法建立，可有合理的解决办法？

ericking0

那边接的gate，io漏电的电流为什么要往Rfb跑？
我感觉IO漏电最大的问题在于，本来偏置电流就小，结果IO一漏把偏置电流吃掉了，结果挂了。

永远的牛虻

回复 2# ericking0

32k的晶体振荡电路需要一个很大的电阻，并联在放大器的栅漏端，也即是一端接XI,一端接XO，如果XI端的pad在高温下有漏电，那么肯定会流过反馈电阻的，所以导致静态工作点无法建立。

永远的牛虻

回复 2# ericking0


   你所说的一端接栅端，另一端呢?

永远的牛虻

回复 2# ericking0


   采用的是皮尔斯型的结构

jamesccp

生产线的话，PCB上并联个5M电阻吧

ericking0

回复  ericking0

32k的晶体振荡电路需要一个很大的电阻，并联在放大器的栅漏端，也即是一端接XI,一端接 ...
永远的牛虻 发表于 2018-4-21 16:30

                               
登录/注册后可看大图

你不会用的GGMOS的IO吧，如果是的话，换IO吧，高温实测会挂，我中过标的；总共就几百nA电流，漏电都快到uA了；


不过你说的对，XI/XO的漏电都会影响；


但是XI/XO IO一样的话，静态工作点建立不起来我感觉和XI的漏电没啥关系，我觉得还是XO漏电导致的；
XI接G，XO接D，Rfb跨接XI/XO，如果不振荡，XI=XO，从而保证振荡器的静态偏置；
我的理解是，如果XO漏电的话，那么IO就会把振荡器的跨导电流吃掉，从而无法满足起振条件；
现在回过头来想，如果XI漏电的话，理论也会破坏整个环路。


BTW：能试试分别去掉XI/XO的IO不？看看哪种情况可以起振？我有点好奇；
我还是感觉XO IO漏电的影响应该大一点

永远的牛虻

回复 7# ericking0

换I/O口是大事。仿真最大可达到100na。
我先调好的晶振放大电路，然后连接IO，才发现的问题，   
你的理解也对，XO漏电较大的话，确实会吃掉部分电流，从反向放大电路PMOS/NMOS直接抽取电流。如果漏电较小可以忽略。
XI漏电的话，也抽取电流，但是这个电流要经过反馈电阻，所以就会产生压降，相比之下影响更大一些。

永远的牛虻

回复 7# ericking0
看来你也是做晶体振荡电路的哦。