bcd 工艺中高阻poly1 上的metal1问题

nancy_00041 · 发表于 2018-3-27 09:40:43

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最近做bcd 工艺，rule中规定 hrpoly1 电阻上面必须要有metal1 层，这层metal1 的作用是什么呢？还请大侠们指教一下，不胜感激！

powerboy711 · 发表于 2018-3-27 21:43:05

高阻掺杂浓度低，容易被其上的metal干扰，影响阻值，所以特意做一层metal屏蔽干扰。

那个罐头 · 发表于 2018-9-18 08:19:57

回复 2# powerboy711

楼上大虾能解释下吗，为啥掺杂浓度低会受干扰，多谢~

zhudidi · 发表于 2018-10-1 15:25:05

帮顶，同问

bella427 · 发表于 2018-10-8 15:26:19

同上，请教一下

bella427 · 发表于 2018-11-8 15:59:52

有图有真相！

翔子zkx · 发表于 2019-1-18 22:54:43

回复 1# nancy_000跟工艺有关，上华工艺中要求必须在高阻上家metal做屏蔽层，目的是阻挡后续流程中的H2进入高阻修复缺陷，减小阻值。但是新唐工艺中metal有没有对高阻完全没影响。

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