菜鸟问个问题：电源为什么要用BCD工艺？

qimin1983

菜鸟问个问题：电源为什么要用BCD工艺？

chiarella

我的理解，在高压情况下，这主要是由power决定的，是用DMOS还是bipolar，目前DMOS用得多。

peterlin2010

菜鸟问个问题：电源为什么要用BCD工艺？
qimin1983 发表于 2017-12-10 15:31

                               
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    BCD  =single gate  .. vth 是低压 一般只须DRAIN 耐高压 特别是如driver .

至於 厚oxide  dual get process 如耐 40v . vth 高  Lmin也大
一般 40v dual gate MOS vth =2~3v  Lmin=3um
40v BCD LDMOS  vth=0.7~0.9v  Lmin=0.2~0.4 (Ldmos Lmin很多都固定不能调整)
光 area 會差多少 ??

还有种特别调低 low Rds_on 使用在BCD LDMOS
一般 BCD 可能 mOhm/mm^2 ex.  30 . 特别调低可能 10~20
至於非 switch LDMOS  可能 >300 如果 dual gate 那 >> 600~1000 上 .

对拉LDMOS 还有分 hi-side 使用 low side 使用

Juneje

Thanks for sharing

huangniuniu

BCD主要还是考虑POWER MOSFET

lineage_net

Ron好啊，大部分的低壓gate控制都可以透過電路技巧解決。比起高壓gate麻煩一點。

jerryzhao

成本与性能的折衷吧。 Ron 好省面积。多几层mask也OK。 不知道可不可以这么理解。

qimin1983

回复 3# peterlin2010


谢谢详细的解答，不过我想再确认一下，所有的考虑还是集中在Power Mosfet？如果控制电路和Power Mosfet是分开的，那么控制电路的工艺选择高压的cmos更加节约成本，可以这样理解吗？

peterlin2010

回复  peterlin2010


谢谢详细的解答，不过我想再确认一下，所有的考虑还是集中在Power Mosfet？如果控 ...
qimin1983 发表于 2018-3-12 16:17

                               
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    bcd 就是 oxide 是低压,很多BCD 还有特殊调 low rds_on switch device .看FAB  .就但多少  mohm/mm^2 . 还有power mos 一般说是独立 Uvmos . bcd 是叫ldmos ldnmos .
如果gate 耐高压 40v 一般叫dmos .

还有一种是耐超高压 500~800v LDnmos
ldsmos 还有 hi-side switch
如果你说 power mos跟 controller 是分开那一般是 2 die ~3 die 封.
controller 就无关..要使用 bipolar cmos 都可以 但是 leadframe 要自己开. 一般封装除非提供否则  包 Umos 如一些 dip8 pwm IC 很多是包 umos .

Ldmos 一般小电流高耐压 .  umos/vmos 才是大电流 .
ldmos 可以跟CMOS 整合, 以一般 ac/dc flyback 来说如果外面 power mos 600v rds_on 1~5ohm
但当选内建 ldmos 很多都只有 200m~300ma 30ohm .瓦数小很多. 但是可以单一颗 chip .

2 die 有他的优跟缺 , 优是 controller 可以 混搭 1a 2a mos .. 3a mos 一般包不下拉. 太大  DIP8可能都有须难, 而且 DIP8 瓦数 15w 就差不多会很热 .
sop8 可以耐 10w ..一样IC 会很热 , 缺点是 2 die 成本高还有 万一封装或热出问题

LCD driver那类都是使用 BCD 方式 , 推马达那些也很多使用 BCD
但是单一颗 die 包 ldmos ,也是会有热还有 很大颗 . ocp 如何做得准?

peterlin2010

qimin1983 发表于 2018-3-12 16:17
回复 3# peterlin2010

谢谢详细的解答，不过我想再确认一下，所有的考虑还是集中在Power Mosfet？如果控制电路和Power Mosfet是分开的，那么控制电路的工艺选择高压的cmos更加节约成本，可以这样理解吗？
=>

如果你前端控制是说MCU 那类都低压, 一般会MCM ,  mcu die + driver chip + MOS .

如果你前端是说 控制 LDMOS , 前端一般 都 cmos + level shift .  

如 UHV 500~800v , 一般 800V LDMOS 就当 level shift 空制 hi-side .

高压 level shift 以前看过PAPER 用"电容去藕合" . 但校果真如何不知.

说到 电容去藕合 digital isolator IC 记得 TSMC 曾开发过取代光偶PC817 高压电容,

silicon Lab 有 digital isolator IC .  

有些不想用PC817 或是控制 隔离 会改 "digital isolator IC"