Cap-less型LDO的瞬态响应问题

xhfwithe · 发表于 2017-11-24 12:52:25

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请教大家一下，就是小弟在做Cap-less型LDO，瞬态下需要带10mA电流（200ns上升时间），发现输出从3.3V掉到了2.1V左右。LDO采用结构为EA+PMOS Buffer+N功率管结构，采用了动态电流镜偏置的结构增强瞬态响应。但是现在发现，输出电流采样的速度比较慢，输出已经下降到2.1V了这时候动态偏置才开始起作用。想请问各位大神有什么其他好的方法可以增强瞬态响应吗？？我个人发现利用LDO环路来响应瞬态始终是比较慢的啊，跟不上瞬态变化啊，所以想请教啊，先谢谢了！

hehuachangkai · 发表于 2017-11-24 18:21:04

这种结构带100mA也不会降那么多吧，估计是反馈后打开的大管子尺寸还不够大。。

sea11038 · 发表于 2017-11-24 19:04:52

为什么不用P管作功率管而要选N管呢？

xhfwithe · 发表于 2017-11-25 12:07:58

回复 3# sea11038

主要是为了补偿方便。

xhfwithe · 发表于 2017-11-25 12:09:12

回复 2# hehuachangkai

我用电容耦合来增强tran效果也不是很好，现在打算用功率P管试试吧

szjrrj · 发表于 2017-11-27 14:56:43

100mA是从电源吐出去还是吸进来到地上啊？如果瞬间吐，还用NMOS可以，但上面电流需要一直烧最大电流。NMOS上面电流要是烧平均电流，你得在supply到output 间加Clamps (二极管串儿啥的)来瞬间提供那个大电流。如果用PMOS，EA低增益(3 ~ 10)，高速度 (BW > 30Mhz)。

christ0426 · 发表于 2018-1-24 17:41:03

学习一下，多谢

卫尼美 · 发表于 2018-2-8 23:27:04

回复 5# xhfwithe

是spike detection那篇的方法吗？我用电容耦合一点效果也没有。。

hubertyue · 发表于 2018-2-14 11:12:22

N管不够大吧。如果N管的source端瞬间下降，但是gate由于loop还没有反应过来，那么Vgs增大电流会以平方率增加，这才是为什么用N管做power管的原因吧。

peterlin2010 · 发表于 2018-2-14 17:32:25

请教大家一下，就是小弟在做Cap-less型LDO，瞬态下需要带10mA电流（200ns上升时间），发现输出从3.3V掉到了 ...
xhfwithe 发表于 2017-11-24 12:52

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问一下LDO 输入 vcc 如果快速启动 0-> 12v 10ns内.
Cap-less型 Ldo 瞬态会不会出现 over-shooting ? 就是瞬间充高在回稳

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