关于gate，cell 和area的关系

delllily · 发表于 2017-9-10 11:31:09

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本帖最后由 delllily 于 2017-9-11 22:00 编辑

各位大神，最近看论文，有的论文在比较电路性能时使用的参数各式各样，有的用gate比较, 有的用cell,有的用area. 但我用DC综合以后的area-report中只有cell和area，看cell的值貌似是报告列表中基本单元子模块的数目，且每个cell的area都不同，既然这样，我觉得针对一个问题用cell做比较时不对的。如果综合时使用的是同一工艺库下，个人感觉用area做比较应该是比较适当的. 但有些论文中又用gate来比较。问题一：不知道gate怎么导出来的；问题二：对两种工艺库下综合出来的gate,有没有可比较性。

期待您的回答，非常感谢

杰克淡定 · 发表于 2017-9-11 09:16:32

area是最准确的，毫无疑问，它是具体工艺下的实际面积。
gate是一个估算值，就是将area除以同工艺下的两输入与非门面积，从而换算得到一个所谓的大概门数。所以，门数适用于不同工艺下的大概面积对比估计。

delllily · 发表于 2017-9-11 17:00:12

本帖最后由 delllily 于 2017-9-11 22:01 编辑

回复 2# 杰克淡定

Dear Jack, 非常感谢哦，终于解决了我的疑问！

delllily · 发表于 2017-9-11 19:23:15

本帖最后由 delllily 于 2017-9-11 22:01 编辑

@Jack，如果我使用0.35um的工艺库，我应该在那个文件中能找到2输入NAND的面积参数，我用的90ns,在typical.lib中，但我下了好几个所谓的0.35工艺库都没找到这个参数，麻烦您指点，或者如果您知道这个数据，麻烦您告诉我可以吗，谢谢。我需要把0.35um中的面积转换成gate 数目，但我找不到2输入NAND的面积的值，晚上搜了一个是38.88,也不知道是否精确，谢谢啦。我不知道如何赞赏，呵呵。。有机会请你吃饭

杰克淡定 · 发表于 2017-9-12 10:04:51

foundry提供的.lib文件中，找到NAND2的cell，area项即是。

kanikanixjj · 发表于 2018-4-18 14:32:43

回复 5# 杰克淡定
你好，我用的SMIC的library，库里面两输入与非门的面积是4个site值，但是我用reportGateCount报告出来的gateSize是3个site值，那是不是reportGateCount报告出来的gatecount值不可参考，需要用总的area除以4个site值才是真实的gatecount数据。期待您的回复，谢谢！

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