请各位帮忙分析一个DC-DC电源芯片的失效现象，多谢了！

fhyfbjl

芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件
失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。


失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。


其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。
SW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？
请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。


在此谢过了！

Tianyi_1990

可以FIB将驱动管砍掉一半看看

vincentwjw

有没有可能是Driver太强，寄生电感上的ring太大，导致功率管击穿了？

fhyfbjl

回复 2# Tianyi_1990


    FIB操作比较麻烦，上次尝试切掉了1/4，但似乎没有成功，
没其它思路的话，下次ECO还是会减掉部分驱动管。

谢谢回复！

fhyfbjl

回复 3# vincentwjw


    这是我最怀疑的地方，但是没法直接验证，将输入电容直接焊在引脚上，
芯片也会坏掉。谢谢回复！

496201530

回复 1# fhyfbjl


   ESD能过4KV，但是不一定能过1KV。你有试过换一个电源再试试吗？是不是因为ESD失效，把内部器件打坏了？

fhyfbjl

回复 6# 496201530


    ESD应该是只在2kv、3kv、4kv这三个点上测了，
换电源的话，损坏的概率有不一样，另外用插座和直接焊接也有区别，
焊接的话更不易损坏，

Kevin_Yang

输入电容多大？增大点试试；测试的负载电流多大，在小电流试试；或者在SW对地加RC尖峰吸收电路再试试？

fhyfbjl

输入电容多大？增大点试试；测试的负载电流多大，在小电流试试；或者在SW对地加RC尖峰吸收电路再试试？
Kevin_Yang 发表于 2017-8-2 17:41

                               
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输入电容220uF+10uF+0.1uF，最小的电容贴紧引脚，启动的瞬间容易损坏，在SW上加RC滤波容易不稳定。现在判断一是工艺耐压不足，二是驱动太强了，过冲太大。

m2ic

输出级上管和下管有坏的？
ESD 是什么类型的？ VIN电容焊在芯片什么位置
插座寄生电感太大 ring 的尖峰电压数值太高  
推荐直接焊接在板子上，然后在boot pin上串一个电阻 再看结果
peak数值太大的话 上管和下管可能会看到大于6V～7V Peak电压，所以长时间工作。。。。