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查看: 3044|回复: 5

[讨论] 不谈具体技术,大白话高速串行总线技术到底是什么鬼

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发表于 2017-6-17 16:11:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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高速串行总线技术是趋势,是很重要的技术,大有一统江湖之势。随便一块板子,接口全是所谓lvds,rocketio,srio。
我有一个具体的问题。
一个并行转串行的模块,输入并行数据,输出一路串行信号。假如是并8转串1,串行的数据用差分信号的形式输出。
有一个点容易理解,就是假如要连接接下一个接口,那么接收端的引脚就会变少,这没有问题,我把它理解成是没有办法的事情,因为要减少引脚。
但是,仅在一片FPGA的内部,个人觉得就没有必要了吧,因此它多用在接口上面,不知道我的理解正确与否。
还有就是传输速率的问题,按照文献的说法,加上我自己的理解如下:
还以具体的实例讨论如下,8个并行的数据,驱动他们的时钟频率变得较高时,但也不过才100M出头(PCI总线,133M就是他的极限),8位的
并行数据同步起来变得困难,此时传输的速率是800Mbps,但此时8根线长短有点差池,来个抖动,并行线之间还可能有干扰,数据传输就极易出现问题,总线宽度再变宽,由8位变成16位,电路硬件要求就会更高,数据传输会更不稳定,更不保险,因此反其道行之,就有了高速串行总线,位宽干脆1位,可以轻易避免并行数据的同步问题,而这个串行的时钟速率可以加的极高,比如1000M,2000M,算一算数据速率也还可以。而串行数据以低压差分信号的形式进行传输,功耗低,而且还有一定的抗干扰能力(原理不太懂),在我举得例子中,串行数据出来,自是一路,可是这路信号有经过一个原语结构,串行一路钻进去,钻出来的是一对低压差分信号,在这里有一个小疑问,低压差分信号抗干扰,可是产生差分信号的信号不会被干扰吗?还有一个疑问不吐不快,说时总线速率很高时,并行总线数据位宽难以同步,那CPU的速率都3G,4G了,总线 宽度64位,也没说有什么问题呀,到底是要弄哪样啊?这一段比较困惑?有谁给解释一下吗?
欢迎大家踊跃讨论,对我的说法批评指正。关于告诉串行总线技术的讨论大家都可以在这个帖子里讲。
码字不易,期待您的回复。
发表于 2017-6-17 17:01:54 | 显示全部楼层
谈总线要区分片内和片外,芯片内部都是并行总线,因为片内干扰噪声小,容易做到很高速度,比如你说的CPU上G的总线速度。

你这里想要讨论的,应该是片外总线,它会出到芯片外部并以pin脚连接。片外环境复杂,干扰多噪声大。并行总线难以同步,速度会受限明显,但由于位宽多使得总数据率折扣不会打太多,典型就是DDR接口;另一种就是串行总线,抗干扰强,速度快,典型就是USB接口。
 楼主| 发表于 2017-6-19 10:04:28 | 显示全部楼层
首先谢谢您的讲解,非常有用。
既然您说到了DDR,又勾起了我的一个疑问。DDR是高速随机存储器,但是我对“高速”二字不解。它是双倍速率随机存储器,所以才称是“高速”,同样位宽的ROM,同样时钟频率下,速率仍然是DDR的1/2,DDR怎么当得起高速二字?还是说DDR可以加更高频率的时钟?抑或是DDR位于FPGA之外,是相对概念,是外部存储器中的佼佼者,但是比SD卡等其他外部存储器“高速”在了哪里?外部存储器的选择又有什么诀窍?
发表于 2017-6-19 13:49:09 | 显示全部楼层
过来学习下
发表于 2017-6-19 16:32:38 | 显示全部楼层
过来学习下~~~
发表于 2017-6-21 18:55:36 | 显示全部楼层
回复 3# qiurijian  你不觉得你的疑惑与提问有很大问题?,自己定义了DDR是“高速随机存储器”,并对“DDR的高速”产生疑惑,疑惑的原因竟然是与ROM与SD卡所支持外部flash 进行速度对比,这两者之间根本就没可比性,我建议你回答提问前查下相关资料。
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