关于MOS管和BJT的耐压问题

知足0824 · 发表于 2017-4-17 10:32:01

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比如说我在EDR文档里面查到某一NMOS管的BVds=40V，Vgs耐压5V，那这个MOS管的G、D、S所能接的最高电压是多少呢？比如说我Vs=10V，Vg=15V，Vd=50V这样接可以吗？还有就是文档里面写了测试条件，是不是测试条件不通，测试结果也不同呢？比如BJT的BVceo，一般都是B极开路，如果B极有电流，这个值会怎么变呢？

知足0824 · 发表于 2017-4-17 10:54:22

感觉每次发帖都是秒沉啊，真心求教

liuxin278519882 · 发表于 2017-4-17 11:26:20

回复 1# 知足0824

对于这个NMOS管你Vs=10V，Vg=15V时管子已经开启，你Vd你加到50V肯定电流过大烧坏管子。Vgs耐压5V就是栅源电压最大加到5V，再大的话就把栅氧击穿了。同样Vds=40V是说芯片关断的情况下VDS的压差可以承受40V，一般最大工作电压和击穿电压之间要预留一定的余量，根据具体电流来定，就像一般的0.5um硅栅MOS管推荐工作电压是3-5V，Vds击穿电压大概在11V了。

知足0824 · 发表于 2017-4-17 14:21:45

回复 3# liuxin278519882

谢谢回答。也就是说在NMOS实际导通情况下，Vds是不能耐压到40V的，因为整个管子的功率会过高？那在设计时，我们如何确定Vds最多能达到多少呢？按照实际电流和功率计算吗？但是文档里面没有写功率限制

知足0824 · 发表于 2017-4-17 19:43:15

哎，感觉每次提问题都没什么人理啊

xinchip · 发表于 2017-4-17 19:45:23

主要讲的都是相对电压。

gaojun927 · 发表于 2017-4-23 13:27:44

做功率器件的foundry如果靠谱些，会提供一个SOA的图，表示在什么区域内器件可以正常工作。
一般看功率mos的datasheet，也可以看到类似的图，而且解释的相对仔细。
功率器件的SOA一般受pn结击穿，栅氧击穿，温度的限制，有时也受封装的限制。db，sb一般受pn结耐压限制，gs一般受栅氧击穿限制，ds稍微复杂些，有drift区。可以找本功率器件的书大概看看。但最可靠的办法还是多问foundry，问他们的测试条件。

皮冲村 · 发表于 2017-4-23 15:54:51

那肯定的，测试条件不同差别还是挺大的，特别是温度

feel100 · 发表于 2017-4-23 19:17:23

7楼正确答案。

peterlin2010 · 发表于 2017-4-23 19:31:30

哎，感觉每次提问题都没什么人理啊
知足0824 发表于 2017-4-17 19:43

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BCD process  vgs =LV Ds hi Volt

vgs < 5v
vds < 40
vsb  ??  住是重点
除非 isolation device .

Bipolar 其实有 Bvceo  Bvces  .　光 base 串R / open  会有些BREAKDOWN不同 .
一般都低耐压去看实际代工厂真量到 spice model 不一定真准
特别 BCD LDMOS  很多崩溃不好建模做得不好 .

mos off Vds < 40,
但是 ON 要看流多大电流阿 sot23 package  < 200mw
  如果太大除烧IC 还可能 BONDING WIRE 烧断

还是 200mw 平均如果 PEAK是可以　但是　可靠度 OLT 那类会出问题

现在比以前好多 ,  以前跟本没有网路可以问 , 也没有 google  连 eetop 都还没诞生

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