请教静电枪的ESD保护？

mekenny · 发表于 2017-3-21 20:42:35

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请教各位牛大大，静电枪的放电模型大概是怎么样的？为什么芯片裸片打HBM ESD能过4kV，而带电打静电枪就1kV触发大电流烧坏了？请问ESD电路设计要注意些什么方面才能抵抗静电枪啊？

lihaiqi208 · 发表于 2017-3-21 23:46:43

静电枪打是指芯片上电时候打ESD？
看你描述可能ESD触发latchup了？

hszgl · 发表于 2017-3-22 00:26:59

静电抢应该只是个静电释放端点，静电模型是通过高压放电设备设定的，一般的静电枪控制设备都会有MM和HBM两种模型。如果选择MM模型的话，会比HBM模型苛刻的多。

mekenny · 发表于 2017-3-22 08:53:08

回复 3# hszgl
默认是HBM模型还是MM模型？

mekenny · 发表于 2017-3-22 08:57:40

回复 2# lihaiqi208
整机带电打静电枪很容易触发latch up啊。ESD泄放通路有什么办法改进这个问题？

jamesccp · 发表于 2017-3-22 16:19:10

系统级ESD和芯片级 HBM/CDM/MM 不一样的。
系统级ESD 分直接接触放电和空气放电。要提高耐受能力，需从系统的电流路径分析，感觉不芯片级更加 black magic

lihaiqi208 · 发表于 2017-3-22 16:39:36

你这失效现象描述太模糊，系统级ESD不想器件级那么容易分析ESD路径，更加black megic，建议先找到失效的地方，再去分析原因

hszgl · 发表于 2017-3-22 19:03:55

回复 4# mekenny

这个我不知道了。你看下操作界面啊。

mekenny · 发表于 2017-3-25 20:53:03

双边ESD保护，也就是对地和对电源各做一套ESD泄放电路，是否会对系统级ESD有较大的改善？

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