聊聊电流镜(下)

czq1419

回复 1# 131v1vv


   我也看了你的公众号，很好 有没有其他模拟IC公众号让我上下班途中可以看？不想端着一本大书看！

131v1vv

回复 11# czq1419


   别人的我也不了解，你知道了也请告诉我哈

fuyibin

加油加油，基础的东西还是很重要的。有时候我也想总结总结，就是犯懒。

semico_ljj

看看先。

philosics

帮顶 支持原创

zin

謝謝! 有用!

弹剑听潮

在图4上，你有一句话：随着栅长的减小，阈值都有不同的增加。
在图5下，你有一句话：利用M2的沟道比M1的沟道短，从而M2管的阈值小于M1。

这两句是否有矛盾？

另外，为什么增加偏置电流会使本征增益变小？

131v1vv

回复 17# 弹剑听潮

解释一下，图5下，也就是Ichiro提高的阈值随沟道变小而而变小，我是存有疑问的，（后边有注）,Ichiro提到是SCE短沟道效应，要注意他提到这个的背景（1985年提出），那时候半导体工艺可能还是um以上的，随着沟道变短，阈值才会下降。

egil

学习学习

hongmy

写得很好的总结。感谢楼主又让我复习了一遍。
因为我在实际芯片中经常有使用楼主重点研究的这种self cascode CM，所以分享下我的观点和操作。
  1） 关于楼主提及的输入阻抗的问题，我觉得不应该是rds+1/gm，仍是是1/gm；
  2） 其实电流镜真正核心的是下面两个管子，所有做的工作都是尽量保证下面两个管子的匹配，包括器件mismatch，包括vgs与vds，只要这些做好了，电流镜像就准确了。
  3） cascode主要是层叠一层管子，使得输出阻抗增加，同楼主分析的一样，变成gm rds rds。
  4）具体到这种self bias cascode CM，我认为设计上应该使得四个管子都工作在饱和区（包括亚阈值），方法就是，下面的管子采取倒比管，上面的管子采取大的W/L。串联管中，粗略等效，等效成一个管子的话，L是相加的，因此总体来说，等效管子也是倒比管， 这样总的等效管子是工作在强反型的饱和区的，而且由于是倒比管，总等效管子的Vgs=vth+vdsat。而对于上面的管子来说，因为大w/l，使得管子被偏置在亚阈值区，vgs<=vth，所以下面管子的大致是等效管子的vdsat(随具体设计)而工作在饱和区。
    5） 从电流源的角度来说，输入管子其实就是提供一个偏置电压。
    6）从匹配的角度来说，刚好也需要下面管子工作在强反型的饱和区，而从输出阻抗的角度来说，cascode管子刚好最好工作在亚阈值区。一切都是这么统一协调，真是神奇，看上去那么美。

    抱歉：一写稍微长点的回复，就有点耐心缺失。没有检查我有没有写清楚，请将就看看。：）