LDO的主极点位置问题

vint019

不用糾結，這種單純的2 pole, 1 zero的負回授補償主極點一定放在gate or load其中一個(兩種作法都各有大量的產品應用)。
你看到的兩種一起使用的情況，一定是其中一個用來產生zero，當然免不了也會產生一個pole。但是總歸一句話，整個系統還是只會選擇一個node當主極點。這不就是dominant pole負回授系統的穩定條件嗎!
你要說"或許他設計的是更複雜的pole zero補償"，恩....我說市面上產品95%以上都是單純的dominant pole負回授。

pzn315149

回复 11# vint019


   是的是的，你说得对。这几天查了一些公司的技术文档，发现只要是输出端有片外大电容的，主极点都在输出端，那内部加的米勒补偿作用应该是用到了它的零点，至于怎么用的零点我再研究研究。谢谢指导

peterlin2010

回复  vint019


   是的是的，你说得对。这几天查了一些公司的技术文档，发现只要是输出端有片外大电容 ...
pzn315149 发表于 2016-10-22 08:33

                               
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    1. 片外cap 如果电解类 esr 比较大可能 0.1~5 ,  
    内部米勒补偿 极点推远的方式来保证稳定性  .主要是靠片外的 补.应该说LDO 那内部推很远後 就受外面电容影响
   所以有些LDO 外面电容ESR 是有限制使用范围的 , 不同输出电流下会变化
  须考虑 no_loading   full_loading下不同稳定度 .
  
2. 片外cap 使用 mlcc类 esr ~5m ohm  , 会比较须要内部补, 但是须使用不同方式架构
   因为外面MLCC电容 点很远了, 所以得靠LDO 内设计去改这些 paper 很多类讨论 .

3. 如果 capless 没做过, 但有人说是使用内建电容方式 .
  外面无电容有些 SOC 内LDO 因为没法多PIN  挂电容会须要这设计 .

好像一般 PHASE MARGIN >45~60度比较好,
不过是否大家都会 all corner model  -40~150 度都进去阿??

还有使用 MLCC 方式 LDO , 发现调低GAIN 可以比较容易稳定,
有办法 gain >80db  ,  phase_margin 还够吗? 我使用LDO 只有 20ma
使用最简单 2 stage LDO . BCD工艺输入 7~40v
试很多方式最後发现GAIN 压低 40db 比较好 all corner pass

pzn315149

回复 13# peterlin2010

之前接触到的LDO都是SOC中的，针对片外大电容的LDO有几个问题请教：①大的片外电容把主极点控制在输出端，那电容ESR产生的零点是用来抵消内部极点吗？
②既然主极点在外，那内部米勒补偿岂不是把次极点拉低了，这一点我一直不懂，为了稳定不是要把次极点推远吗？
③设计这种片外电容LDO时，从一开始就要考虑片外电容的选择吗?比如说不同的电容数值不同，ESR也不同


还望自己讲解一下

hezb

thanks

littlecherryyu

主极点不光跟电容有关还和电阻有关，所以主极点不一定就是输出极点，这得看运放结构

sumiqin

回复 14# pzn315149


   所以楼主过了两年之后有答案了吗。。。。遇到同样的问题。。

459157479

非常感谢

aircraft

回复 17# sumiqin


   LDO的dominant pole一定是随load conditional 变化的，miller cap compenation理论没错，但却针对的是CL小的case而言。

sumiqin

回复 19# aircraft


   capless的LDO给片内供电的话，会在这个LDO端和地之间加decap电容，这样子就相当于我LDO的输出电容也挺大了。然后现在把内部主极点放在比较低的频率，3db差不多100Hz。。。仿真stb的带宽PVT最低只有25K。这样子可以吗，会不会带宽太小了。
另外这个仿真10us瞬态上电的时候，输出电压过冲后，电压值快有设计的两倍，并且需要200+us的时间才会稳定到设计值。这个怎么解决呀？