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本帖最后由 tulipyjx 于 2016-10-15 20:19 编辑
将要选择工艺进行射频电路的流片,但本人之前的流片经验仅限于几个代工厂,所以想请大家集思广益,
各自将自己熟悉的CMOS RF工艺的优缺点介绍一下。
希望介绍时明确是什么尺寸的工艺,还有UMC的工艺版上似乎讨论的较少,可否有人介绍自己的经验?
是否各个代工厂有自己比较擅长的工艺,也请大家介绍一下。
我先说一下,
很早以前流片用过上华,现在不知上华如何。
后来用过TSMC RFCMOS 0.35um,近期用过RFCMOS0.18um,感觉测试结果与仿真结果吻合的较好。
还用过JAZZ 的SiGe BiCMOS工艺,测试结果与仿真结果吻合的较好,但每年的MPW流片班车间隔太久。
SMIC工艺,我用RFCMOS 0.18um的工艺作过仿真,感觉layout时不太方便。 |
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