【关于Dummy Metal】

关刀日月 · 发表于 2016-2-28 13:54:01

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流片进入了最后阶段，第一次使用.18um工艺，关于Dummy Metal也在坛子里搜过，为了wafer的平坦化，知道有密度要求，但如果是做光电器件的话，光敏面是不想让金属遮住的，这也就意味着着实际光敏面比设计光敏面至少要损失30%，按照他的规则，local density（any area of 200um*200um）无法通过，有什么其他的办法吗？求各位前辈帮助，谢谢！

wmchpu · 发表于 2016-2-29 20:06:27

只能损失面积了啊，不然就是忽略这个规则。

xxmule · 发表于 2016-3-1 10:35:38

问问工艺厂家或加大面积弥补

回复 1# 关刀日月

我力可 · 发表于 2016-3-1 11:39:41

损失面积吧

silverpuma · 发表于 2016-3-1 13:33:40

回复 1# 关刀日月

顺便问一下，此工艺有光电器件啊，能够跑仿真验证特性？

关刀日月 · 发表于 2016-3-1 18:29:07

回复 2# wmchpu

嗯加上了虚拟金属，光电器件的local density 已经达到要求，但是整个芯片的有些地方还是没达到local density的要求，谢谢！

关刀日月 · 发表于 2016-3-1 18:34:20

回复 4# 我力可

嗯谢谢！

关刀日月 · 发表于 2016-3-1 18:36:58

回复 5# silverpuma

不是哈哈，是我们自己做的光电器件，仿真的时候用电流源模拟的

wmchpu · 发表于 2016-3-1 20:11:01

回复 6# 关刀日月

一般不就是metal, poly, AA么？

wmchpu · 发表于 2016-3-1 20:12:50

回复 6# 关刀日月

AA区能允许做到200um*200um？

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