请教一个MIM电容的问题

hwynhh@163.com · 发表于 2015-9-23 16:00:02

回复 8# Rucas

我都没有权限跟fab联系

xxmule · 发表于 2015-9-23 16:11:00

MMC工艺文档里是怎么描述的？

回复 11# hwynhh@163.com

Rucas · 发表于 2015-9-23 17:35:17

回复 11# hwynhh@163.com

那你好好把Design Rule中MIM的内容看看，应该会有说明，比如会提到哪层作为上极板，哪层作为下极板。

空如梦 · 发表于 2015-9-23 17:41:35

回复 4# mangoch

哈哈哈

sophie2125 · 发表于 2015-12-18 14:49:37

看下这个剖面图就知道是咋回事了，这里的FUSETOP就是你的MMC层，左边的没有MMC这层，M3经过V2孔流入M2，这样就连接起来了，但是右边M3通过V2孔到了FUSETOP层，并没有到M2层，所以M3和M2并没有短接！

sophie2125 · 发表于 2015-12-18 14:51:18

本帖最后由 sophie2125 于 2015-12-18 14:52 编辑

看下这个剖面图就知道是咋回事了，这里的FUSETOP就是你的MMC层，左边的没有MMC这层，M3经过V2孔流入M2，这样就连接起来了，但是右边M3通过V2孔到了FUSETOP层，并没有到M2层，所以M3和M2并没有短接！

sophie2125 · 发表于 2015-12-18 14:51:59

回复 15# sophie2125
为什么这里图片没发上去，图片见楼下！

hwynhh@163.com · 发表于 2015-12-30 14:43:27

回复 16# sophie2125

谢谢你解答，看到这里我有个疑问。这里有FUSETOP（即我说的MMC）的地方，via孔没有那么深，所以电容的上下极板没有连接起来。那么问题是，同一批次的via孔同一时间制作，怎么保证有FUSETOP 的地方via孔就做的浅一些呢？另外，增加via把M3和FUSETOP连接起来的作用是什么？请教了，谢谢

tuohong · 发表于 2015-12-31 11:24:57

本帖最后由 tuohong 于 2015-12-31 11:27 编辑

回复 18# hwynhh@163.com

      这个问题常有人问，这个帖子也有一些天了，看了看大家的解释，说法本身都是正确的，但是似乎没有正面回答楼主的问题。在这里把我的一些浅见给大家说一下，供大家参考。

   说起来简单，fab在做via的刻蚀的时候，控制的不是深度，而是材料。

   层间介质是SiO2，电容的下极板表面是TiN，可以认为是一种金属，在选择via的刻蚀液的时候，选择可以只跟SiO2起反应的，这样在遇到金属层（无论是下层metal还是mim电容的上极板）的时候，反应即停止，这样看剖面图的时候，via的深度是不一样的。当然实际上会复杂的多，例如会加入时间控制等等。

   请注意刻蚀时控制的不是深度，请大家再想一想，PIP电容，不同metal层次的开窗，这里的contact和pad，其实都是同这个via一样的原理。
      2015年的最后一天了，祝大家新年快乐，心想事成。

hwynhh@163.com · 发表于 2016-1-4 18:03:13

回复 19# tuohong

新年快乐！谢谢你的解答，我明白了。祝工作顺利

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