boost power mos 損毀

bbreeze666

這是 Boost 架構下的下橋 N Power Mos,
一般的 5V 製程, 沒 LDD, NBL 之類的東西.
上系統時出現了燒 IC 的狀況,
目前看到在 Power MOS Gtae 訊號 Low ,
也就是 Power MOS 關閉的時候,
SW 發生了異常的狀況 (A 點).
不知為何 Power MOS 有關不住的狀況(阻值變低了)
接下來 Gate 訊號也出現了異常. (B,C 點)
無法打開 Power MOS,

請問這可能是發生了什麼狀況 ?
有什麼方向可以研究下去的嗎 ?
感謝 !

castlerock

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看起来应该是Power MOS的Vds过压引起失效。

初步的分析如下：
Boost构架中Vsw的值应保持在Power MOS的Vds的Rating值以下，即Fab厂工艺的5V；

从示波器波形来看楼主设计的Boost芯片输入Vin大致为3.5-4V（switching前的Vsw）；
而从ZoomIn的波形读出Duty应大于80%，这样可以算出该电路稳态时的输出电压Vo应为：3.5X1/(1-0.8)=17.5V。
所以在开启后，可以看到输出电压爬升->Vsw电压的Peak值也不断上升，最后超过了工艺许可的5V，导致失效。

这一失效有点类似于Power MOS的UIS失效，
若楼主将该芯片设置在输出电压小于等于5V应该就不会有这一失效。



以上看法，仅供参考。

apollon_ic

这个是在NMOS和PMOS关开瞬间，由于存在二者同时关闭的一个区间，大致电感上的能量无法释放，只能将SW的节点电压升高，产生一个较高的电压，这个电压会直接作用到NMOS的Vds上，严格来讲，这很容易造成NMOS的损坏，你可以考虑从这个思路去解决这个问题。我建议你做一个测试，在SW放置一个齐纳管，要反应快的那种，你看是不是有效果。另外芯片外面看到的扰动和芯片内部还不太一样。

frontier

回复 1# bbreeze666

Inductor 電流已經超4A,
SW電壓也超過6V

從這兩點下手,  可以找出為何damage