大神门，这是什么器件

dick_chen · 发表于 2015-11-25 23:01:46

要看你这是什么工作频率的吧

bgd_wang · 发表于 2015-11-26 08:59:46

这不就是一个P管么，叫倒比管，L比W大很多，相当于一个大电阻，常见于启动电路

cocoqoo · 发表于 2015-11-26 09:31:31

回复 10# 侯门似海

这是一个倒比管，L很长的那种

侯门似海 · 发表于 2015-11-26 12:55:54

回复 12# bgd_wang
但mos管的沟道能这样扭曲？电子凭什么可以沿着那方向移动？？？

侯门似海 · 发表于 2015-11-26 12:58:34

回复 13# cocoqoo
刚开始我也以为是PMOS管，但细想有问题，整个沟道区应该是n型参杂，那么电子怎么会沿着那条弯曲的线移动？

cocoqoo · 发表于 2015-11-26 15:10:03

回复 15# 侯门似海

别的地方又走不了，至于怎么拐过来的，这你就不用操心了~

bgd_wang · 发表于 2015-11-27 10:44:24

回复 14# 侯门似海

以前没有细想这个问题，下面分析一下，沟道形成的条件是什么，对于NMOS，Vgs>Vth(初略估计)时，认为沟道形成。在Vds作用下，电子沿着沟道从源端流向漏端。你所困惑的是电子会不会沿着弯曲的路径移动，试想一下，这个路径是否弯曲没有太大关系，只有形成沟道，尽管这个沟道也是弯曲的，在Vds的作用下，便有了电流。当然，直的的和弯曲的沟道电子迁移率或其它参数有没有区别本人就不是很清楚，可以请教一下器件方面的人。

mikeppq · 发表于 2015-11-27 14:59:14

貌似jfet

semico_ljj · 发表于 2015-11-27 16:01:07

这个简单这个简单

侯门似海 · 发表于 2015-11-27 16:32:15

回复 17# bgd_wang
对于PMOS，Vsg>|Vth|时，整个多晶硅下面不都应该形成沟道么，而沟道不应该是照片那样？？？？

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