55nm moscap ESD 问题求助

rficcn · 发表于 2015-10-13 11:56:51

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本帖最后由 rficcn 于 2015-10-13 12:11 编辑

1.2V 55nm nmos 做VDD/GND之间的decouple cap会有ESD的问题吗？尤其是CDM？VDD/GND pad已做常规ESD保护。

Golden_Hawk · 发表于 2015-10-13 22:09:50

不会有问题，只要ESD通路不导向内部电路就没问题。
通常ESD通路是从VDD引向GND的(通过power clamp)，如果耦合电容对ESD的响应时间比VDD/GND clamp慢，ESD会通过clamp引向ESD，反之ESD会通过耦合电容引向GND。

fuyibin · 发表于 2015-10-13 23:26:04

本帖最后由 fuyibin 于 2015-10-13 23:29 编辑

按照rule是不允许gate直接接在电源/地之间的，但实际问题不大，用pmos做decap更safe些。此外gate leakage会比较明显。

rficcn · 发表于 2015-10-14 09:11:04

按照rule是不允许gate直接接在电源/地之间的，但实际问题不大，用pmos做decap更safe些。此外gate leakage会 ...
fuyibin 发表于 2015-10-13 23:26

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一般地，内部Gate接到pad需要二级ESD保护，尤其是在考虑CDM时。内部mos的gate和接在VDD/GND之间的decouple电容的Gate在CDM测试时所经受的CDM打击有什么不一样吗？

zhangyang370281 · 发表于 2021-4-21 13:01:36

rficcn 发表于 2015-10-14 09:11
一般地，内部Gate接到pad需要二级ESD保护，尤其是在考虑CDM时。内部mos的gate和接在VDD/GND之间的de ...

同问

a104842708 · 发表于 2021-4-21 13:19:03

同问

大力射门 · 发表于 2022-2-8 15:22:46

电源认为较稳定，且连大量分布式有源区

lnxmj · 发表于 2022-8-9 21:35:23

Good Luck

loopgain · 发表于 2022-8-10 14:13:47

一般都没问题啊

genius98 · 发表于 2022-8-22 10:43:36

How about MOS CAP leakage?

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