求大神帮忙分析一下基准电路

happyyixin1991

cmos基准

求大神帮忙分析一下基准电路。
现在存在的问题有：
1、如果光调电阻的话（所有管子都工作在饱和区的情况），输出电压达不到1.25V，输出电压为1.29到1.33V时TC要小一些，如何将电压调小又不影响TC特性？
2、右边电路是PTAT电流产生电路吗？有什么用呢，加了它只会让我的电压变大。
3、启动的时候为什么会震荡？

hehuachangkai

对一个确定的架构和工艺，出来的bgr值只有一个。和电流大小基本上没有关系。

leehying

1，可以将Q2/Q3上面的MOS稍微做失调一点；
2，右侧电路先去掉，可能会解决你1,3中的问题

--------------------------------------------------
诚招实习生

要求：模拟IC设计专业，在沪工作，每周有30小时以上的工作时间。

待遇：面议，包 食宿。

联系：mpew_semi@126.com

happyyixin1991

回复 2# hehuachangkai

那怎么办呢，项目说明书上写着要达到1.25V。试过把电流调小确实变化不太大。

happyyixin1991

回复 3# leehying


谢谢！  失调是不是指的亚阈值区呢？

happyyixin1991

回复 2# hehuachangkai


  对了补充一下我刚刚说的是将右边电流调小了，输出电压确实能下降一点点到1.27这个样子，可是还是达不到1.25V，而且这个电路是芯片里的电路，我想右边那一块应该不能删吧…………

semico_ljj

回复 1# happyyixin1991

你上一个输出是1.3V时的TC图呢？

hehuachangkai

回复 6# happyyixin1991


   如果对输出电压有精确要求的，可能要用那种可以实现较低电压输出的架构（各种并联电阻等），该架构可以控制输出电压，且保持零温度系数点不变，只是功耗可能会稍大些。论坛上搜一下，应该蛮多的。

kenlino

回复 1# happyyixin1991

1. 此结构的Vref输出电压为工艺的带隙电压Vbg0,由工艺参数决定，除非你牺牲温漂参数，适当的减小VPTAT,做成正温漂基准，或许可以实现1.25V。如果要温漂好又要实现1.25V,那只有换结构了。另外，可以与项目spec制定者讨论，看这1.25V是否必须的，不知道该项目是何应用，一般来说，基准电压是1.27V还是1.25V对于很多应用都是没有多大关系的。

2. 右边电路估计是温漂二阶补偿用的，而且你的基准在只有一阶温漂补偿的情况下，温漂曲线所呈现的抛物线开口是向上的，否则右边的电路是没有用的，只有负作用。我猜这个电路是反向出来的，可能别人用的工艺BGR曲线开口向上(这个比较少见)，你现在用的工艺估计开口是向下的，所以我建议把右边的电路去掉。


3. 启动的时候回震荡，这个是很多启动电路会犯的毛病，比如IBIAS、BGR等电路。一般启动时的震荡，主要是启动支路的快通道与被启动主电路中的慢通道相互作用引起的，所以对于普通的启动架构电路，应控制好启动速度，尽可能不要比主电路速度快太多，避免引起过启动，导致电路产生“锯齿状”震荡。另外，也可以改进启动电路构架，来避免震荡，而无需可以控制启动速度。

happyyixin1991

回复 9# kenlino


    非常感谢大神的耐心解答，还有我想问一下，我这里面电阻是RNWELL，是不是也有影响呢，因为我看有资料说RNHPOLY是负温度系数，并且用该电阻的结构输出电压比较低。
    右边我开始也以为是二阶补偿，可后来对照书上的经典结构发现少了一个mos管，而且它是直接连到BJT上，中间没有通过电阻。很困惑。大神能简单跟我讲一下是怎么实现二阶补偿的吗？