GGMOS栅源之间电阻作用

lihaiqi208 · 发表于 2015-8-24 17:08:18

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

GGMOS ESD器件中栅与源会加一个电阻，这个电阻是为了保护栅，还是利用电容耦合增加MOS trigger的uniformity，请大神解答一下

jian1712 · 发表于 2015-8-25 09:59:43

回复 1# lihaiqi208

在Gate和Source之间加个电阻的NMOS叫GCNMOS(Gate coupled NMOS), 同时也有人在Drain和gate之间加个电容，没加电容的时候主要利用Cgd
这个RC主要用来降低GCNMOS的trigger电压Vt1
这个RC还可以提高导通均匀性
RC调不好会造成ESD性能变差

lihaiqi208 · 发表于 2015-8-25 21:35:19

回复 2# jian1712
谢谢大牛解答，最后一条RC过小的话跟GS直接相连差不多，应该不会有坏的作用
RC过大，会造成GCMOS的VGS电压长时间过大，顶多有可能有漏电的危险，会对ESD性能有影响么

jian1712 · 发表于 2015-8-26 09:43:03

回复 3# lihaiqi208
会影响ESD的性能，ESD in silicon integrated circuits里面有章节专讲Gate coupled结构，建议看看

大牛不敢当，交流学习为主

Sxiaojie · 发表于 2022-11-1 15:32:25

mark学习了。我看到的一个ESD结构是先接一个PMOS DIODE，然后在串接一个 G和S之间接电阻的NMOS。应该差不多是一个道理

cqp · 发表于 2023-7-6 08:13:54

jian1712 发表于 2015-8-25 09:59
回复 1# lihaiqi208
在Gate和Source之间加个电阻的NMOS叫GCNMOS(Gate coupled NMOS), 同时也有人在Drai ...

可否详细讲讲

[求助] GGMOS栅源之间电阻作用