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工作内容:
1,由具有5~10年经验的资深工程师指导,参与业界领先的nor/nand Flash、高速高性能28nm以下SRAM设计项目
2,采用先进制程的设计流程与EDA工具,参与存储器产品的设计、验证、测试等全流程
地点:北京或上海或佛山
要求:
1,本科及以上学历,电子相关专业
2,对IC设计有兴趣
3,学习能力、解决问题能力和团队意识强
请发简历:wwwqqqqqqcn@qq.com |
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