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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
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[求助] 求大神 毕业答辩不会了

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发表于 2015-3-28 21:36:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本人毕业设计做的是R9128的恒流驱动芯片,但是典型应用电路里有些地方不太明白,如图所示,L1被短接到了GND到底是怎么回事? 外围.JPG 请各位不吝赐教
发表于 2015-4-24 10:14:05 | 显示全部楼层
典型的BUCK架構阿, L1被短接到GND是為了當MOS從ON到OFF時, 電感儲能能從LED->D6->R5-L1放電, L1左側端點與GND同電位, 才有辦法關斷MOS,
有些電路D6是不接CS Pin, 而是接GND的, R9128是為了CC的目的, 所以需要知道電感放電結束的點, 所以需要經過R5, 這樣就可以於OFF Duty時偵測電感放電電流
 楼主| 发表于 2015-5-2 17:24:35 | 显示全部楼层
回复 2# dayikimo

谢谢 但是芯片地和外部地不同 芯片启动时怎么形成回路对C3充电、产生流入VCC的启动电流。
发表于 2015-5-4 10:09:48 | 显示全部楼层
首先, 地只是相對的概念, 芯片要控制的只有MOS,  所以只要MOS Gate電位比MOS source端高就導通, 低就關閉.
一開始Vline從R1與C3充電, 當VCC充到UVLO turn ON即開啟MOS Gate電位,開始電感充電, 然後關閉後MOS Gate電位被拉至芯片的地, 假設電位為0, 放電時MOS source電位為電感電流乘R5, 所以MOS Gate電位低於 Soure電位因此MOS確定為關閉, 至於輸出的接地電位是根據C4決定的, 所以你認為芯片的地是0V, 那VOUT的地就是IL*R5, 若你認為C4的地為0V, 那芯片的地為-IL*R5, 因為接輸出端的負載是看不到芯片的地, 所以你也可以把芯片的地當成浮動的, 當充電時為0V, 放電時為-IL*R5
 楼主| 发表于 2015-5-4 15:49:23 | 显示全部楼层
回复 4# dayikimo

谢谢 也就是说芯片地和外部地的关系就是R5*IL这一个电压的差值 另外是不是芯片启动时 外部电路通过R1 C3 R3 R2 C4形成回路 对C3 C4充电 只要C3的电压超过了芯片欠压锁定的电压就能启动了 启动以后芯片就由外部拓扑电感提供能量 只要芯片VCC和芯片GND之间的电压大于启动电压 芯片就能一直正常工作
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