maximum P+ DIFFUSION to nearest N+ pick-up spacing is 20um

icfbicfb · 发表于 2015-3-27 16:40:41

加tapcell啊，也就是latchup rule是40um，一边管20um

要适当增加nwell，pwell pickup

wilmer · 发表于 2015-3-27 17:58:34

回复 11# icfbicfb
谢谢您的回复，已经解决了哈

suly · 发表于 2015-3-30 15:14:17

就是pmos附近20um内必须有tap电位超过20就找不到了

supericeman999 · 发表于 2015-3-31 17:36:20

你的mos化的太大了
以這個rule來說
mos的WL不要超過38不要共用

miaoyue1999 · 发表于 2015-4-3 18:11:40

这个要看在什么地方，在0.35~0.18 esd那边还好了

supericeman999 · 发表于 2015-4-7 09:41:41

二樓正解，
如果還不行，你可能要檢查DRC command file 了

怪道WACKYWAY · 发表于 2024-11-4 21:23:26

有可能guard-ring的框框离元件距离太远，把guard-ring画小一点试一下？

[求助] maximum P+ DIFFUSION to nearest N+ pick-up spacing is 20um