同等阻值的MOS管和无源电阻在制造过程中哪个占用的面积比较大？

师大老六六 · 发表于 2015-3-6 10:06:46

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如题，哪个更节省面积呢？

kdyldw · 发表于 2015-3-6 10:15:52

MOS电阻用栅压调，面积可以做很小。

师大老六六 · 发表于 2015-3-6 12:11:32

回复 2# kdyldw
恩谢谢

hezudao · 发表于 2015-3-6 14:50:48

这个问法没意义

师大老六六 · 发表于 2015-3-6 20:01:30

回复 4# hezudao
是这样的，我想知道在电路中选择负载的时候考虑工艺如何进行选择的。

wmy5252 · 发表于 2015-3-6 20:03:05

考虑工艺用MOS电阻要偏移很大呢，上下30%都有，你确定要用么

师大老六六 · 发表于 2015-3-6 20:52:05

回复 6# wmy5252
不确定，为什么MOS电阻有这么大的漂移啊？

lwjee · 发表于 2015-3-8 20:47:44

回复 7# 师大老六六

MOS管电阻可以变化3~6倍多，Poly 电阻也可以变化20%~30%。MOS管电阻一般有大的寄生电容，电阻没有。电阻面积大，MOS管电阻在Vg=Vs时最小尺寸就看做到Meg级别。

peterlin2010 · 发表于 2015-3-8 22:40:50

MOS管电阻可以变化3~6倍多，Poly 电阻也可以变化20%~30%
=> but process 如果看WAT LOT 一般可以 <10%
FOUNDARY 写 20% 那是出错时可以说在 model 内, 实际没如此大\
另外一般mos resistor没有线性

以前使用Low voltage mos diode 去做分压 1/2 Vdd, 实上
因为 Device leakge ,就算你 layout match 还是会发生不同DIE 间
VREF 不同 , 毕竟 mos Vth 会不同
但是纯电阻不会如此 .

师大老六六 · 发表于 2015-3-9 18:10:14

回复 8# lwjee
恩谢谢！

[求助] 同等阻值的MOS管和无源电阻在制造过程中哪个占用的面积比较大？

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