求教:model中电阻温度系数的准确性

idaidayou

前一段时间用UMC 40nm工艺做了一个+/-2%精度的RC relaxation Oscillator 。fosc=1/(R*C+Tdelay)。
为了实现fosc很低的温度系数，设计中通过调节R的温度系数来补偿C和Tdelay的温度系数。
R采用了温度系数较低的poly 电阻和温度系数较高的diffusion电阻串联。仿真中fosc呈现先正温度系数后负温度系数的良好补偿特性。
测试结果显示，fosc呈现强烈的负温度系数。之前类似架构的OSC都是只采用了低温度系数的poly电阻，fosc测试结果呈现正温度系数。假如diffusion电阻的温度系数比model偏高一些，仿真可以重现测试的结果。


请问大神，实际芯片制造中电阻的温度系数能不能控制的和model偏差很小呢？电阻温度系数比model偏大的可能性大不大（比如从6%偏大到12%）？

sjun

回复 1# idaidayou


    测试了多少片？电阻的阻值变化会影响整体的温度系数的，而且看delay在周期里面占了多少比例，如果比例大，延时的影响也会有的，此时MOS的工艺角也要考虑，包括失配之类的。。

idaidayou

回复 2# sjun
SS/TT/FF分别测试了两片。Tdelay也是通过调节bias电阻的温度系数来调节。电阻阻值有偏小，但是应该不是主要因素。
请问实际上工艺中电阻的温度系数控制是否非常成熟呢？（比如model上10%和20%的温度系数）
我怀疑是某些大温度系数的电阻温度系数偏大。不知道这种怀疑是否合理呢？

sjun

回复 3# idaidayou

不知道TT/FF/SS各测试两片什么意思，怎么保证在某个工艺角，实际仿真还要考虑电阻工艺角的。。

idaidayou

回复 4# sjun

仿真中有考虑了tt/ss/ff/sf/fs  rmin/rmax/rtyp，温度特性都是有补偿的。实际 tapeout的时候，是可以控制mos corner的，TT/SS/FF各挑了两片进行测试。