PDK里的MOS管最大允许通过电流是指W为1u的时候？

istart_2002 · 发表于 2014-12-11 13:18:58

本帖最后由 istart_2002 于 2014-12-12 11:51 编辑

比如24V PHDMOS 最大通过电流的最小值是148uA，是指W/L是1um/4um的时候？这样，如果是20um/4um,就是148uA*20=2960uA???
2014-12-12_11.54.37.jpg

ygyg100 · 发表于 2014-12-11 13:18:59

回复 1# istart_2002

楼主，你说的没错。但是这个表给的是器件的电性参数范围，最大最小值是表示它的工艺做到这个范围以内都是合格的。

wjrsdhd123 · 发表于 2014-12-11 16:04:13

看那个表，是说的W/L=20/4.而且这个是DMOS。比较特殊。
它的宽长尺寸应该都是固定好的：W：20um L:4um。没有其他尺寸。楼主仔细看看pdk。

istart_2002 · 发表于 2014-12-11 18:26:18

回复 istart_2002

楼主，你说的没错。但是这个表给的是器件的电性参数范围，最大最小值是表示它的 ...
ygyg100 发表于 2014-12-11 16:20

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什么意思？必须工作在148uA到222uA内，性能才稳定？？？

ygyg100 · 发表于 2014-12-12 08:54:00

回复 4# istart_2002

工艺肯定有波动啊，器件的各种参数不可能一直稳定在一个水平上。表中的值相当于是出厂检验标准，在最大和最小范围以内的都是合格的，这样的芯片才能到你手上；超过这个范围的，就是不合格的，foundry内部要报废掉，这样的芯片到不了你手上。

istart_2002 · 发表于 2014-12-12 09:38:07

回复 5# ygyg100 ？这个电流太大了吧

semico_ljj · 发表于 2014-12-12 09:55:44

不解。。

yjsun · 发表于 2014-12-12 11:12:53

这个Idsat指的是Vgs=-24V, Vds=-24V时，20u/4u的DMOS的电流密度最小是148uA/um。你的算法是对的，如果是20um/4um,就是148uA*20=2960uA。
Idsat是衡量process的电流承载能力的。不过这个3mA是在特殊的Vgs和Vds取值下测出来的，你设计的时候并不是都偏置在Vgs=Vds=-24V。

这个问题很好验证，楼主只需要自己在电路里面仿真一下就OK。别忘了把仿真结果贴上来。

回复 1# istart_2002

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