运放GM不高

kobe24qq

  
     运放结构基本如图，设计出来的结果是GM不高，瞬态响应良好。调整电路使GM提高但是整体GBW不满足要求，GBW又有功耗等约束，现在不清楚如何解决该问题。在GBW之后相频特性下降很快。

     另外，请教一下，对于稍微复杂一点的电路，如何直观分析其零极点，确定有哪些非主极点的影响，若要画出小信号分析其传递函数的话，感觉很困难了。谢谢。
PS: 图中的尺寸不是我电路中的尺寸，我直接截的论文中的一张图。

bright_pan

你这个是rail to rail输入的，你看看不同共模下的gm变化呢？
     另外M27/28/19/20, 你的L可以取小一些这个没必要这么大的。

bright_pan

另外你的电源电压多少，最好2.5V以上，这样子的电路架构。 class AB输出，最后一级你应该主要是保证驱动能力的，M25/26的L放到0.6um应该完全够了，因为增益实际上不是主要由这里贡献的。

kobe24qq

回复 3# bright_pan
谢谢回复，我贴的电路图是一个论文中的图，里面的尺寸是原图中的不是我写的，你说的那些管子的尺寸我用的是最小尺寸，电源电压最低为3V。

semico_ljj

把你的参数贴上来看看！
一般而言 3V 条件下 gain可以到100以上，-3dB带宽 1M左右。
你的才100Hz 太低了

kobe24qq

回复 5# semico_ljj


   1M?这么大，我看TI的一个轨到轨运放的data sheet给出的图-3Db也是100hz内。

aqishisi

这种CASCODE MILLER 补偿不一定有简单的米勒电容+调零电阻补偿好，就是因为其相位曲线下降很快，Q值太高，楼主换米勒电容+调零电阻补偿吧

kobe24qq

回复 7# aqishisi


   我在原图基础上加了调零电阻消除零点。看论文，书等都推荐用这种补偿方式，为什么其Q值很高。恩，试试另外一种补偿方式看看，谢谢。

semico_ljj

回复 6# kobe24qq

现在0.35um工艺   有这么低的带宽？

kobe24qq

回复 9# semico_ljj


   用的BCD工艺，补偿电容快2pF。输入管gm约为300u。