gm/id的物理实质是什么

fred0320 · 发表于 2014-10-24 16:36:48

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gm/id看起来是非常方便的设计方法。可是这个参数的物理实质是什么呢？在传统的设计方法中，你先选gm, 然后决定id，再然后选择mosfet L和W。那么gm/id是选择mosfet的什么呢？如果这个比值合适那是否还要再决定gm和id呢，既然这两项都能决定为何还需要gm/id呢？

天牛不唱歌 · 发表于 2014-10-24 16:51:25

本帖最后由天牛不唱歌于 2014-10-24 17:00 编辑

只是说这篇文章你肯定没看。

A Basic Introduction to the gm ID-Based Design.pdf (2.47 MB, 下载次数: 4868 )
Vod方法是针对长沟道器件的，现在基本都是短沟道器件了，长沟道公式来估算不免偏差很大。
再者，目前通用的MOS管模型-BSIM3V3的参数里根本就没有lamda 这种参数了，那目前工艺的Un，Lamda等等参数你如何得到？
gm/Id 基于仿真出来的MOS管的特性（查找表），可以说是和实际基本靠拢的。
[size=14.4444446563721px]gm/Id是用一种表象找到某两个参数的关系，而且这个关系一般是可控的，有一定的取值范围，变化规律的。

暮若幽荷 · 发表于 2014-10-24 17:10:32

本帖最后由暮若幽荷于 2014-10-24 17:11 编辑

我很喜欢楼主的问题的标题，我通常也很想搞清各种概念对应的物理实质，当然gm/Id确实没深入研究过。。

JoyShockley · 发表于 2014-10-24 17:43:15

回复 1# fred0320

gm/id的物理意义不强。

转成2Id/gm后，在长沟道下这个就是Vov，在短沟道下；这个是一个类似过驱动电压的东西。

我一般都是做2id/gm的图线，因为这样和传统的基于Vov的设计类似，比gm/id好用；EE240基本使用2id/gm这个量

dingyaoshun · 发表于 2014-10-25 00:01:48

An All-Inversion-Region gm/ID Based Design Methodology for Radiofrequency Blocks in CMOS
Nanometer Technologies

fred0320 · 发表于 2014-10-25 00:08:38

多谢各位的回复，认真读完天牛不唱歌给的paper，已经非常清楚了。其实gm/id是和Vov对应的，选择gm/id其实就是选择MOSFET的Vgs。为了优化电路的速度和功耗引进的这个参数，利用这个比值选择最好的效率。Vov, gm/id, 2id/gm 都是不同的表现形式实质都一样。传统的Vov方法由于spice model在moderate region不是很精确，所以引进gm/id查表格的方式。

jzr1989 · 发表于 2014-10-26 00:21:46

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最初的梦想 · 发表于 2014-10-26 20:20:07

多谢2楼分享

amuro18 · 发表于 2014-10-27 09:13:59

感谢分享

mpig09 · 发表于 2014-10-27 11:58:48

Thanks 天牛不唱歌 shared.

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