使用BCD工艺的LDMOS做H桥的疑问

iboywade · 发表于 2014-10-16 11:07:06

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目前要使用BCD工艺做驱动电路的设计。我看了一些datesheet中他们在H桥的上面两个nmos管子使用了电荷泵的电路提高栅极电压，还有的是直接在H桥的电源上面加了电荷泵，对这种方法不是很理解。

如图

但是目前我使用的BCD工艺中 VDS的耐压最高可以到40V， G的耐压为5V，(这个5V是否是最大耐压值)
那么我要怎么去设计H桥上面两个nmos管的栅极电压

hszgl · 发表于 2014-10-16 17:54:56

5V的耐压是栅到衬底，话说这个是薄氧化层的参数。

iboywade · 发表于 2014-10-21 16:04:58

回复 2# hszgl

我看了一些文档里面的栅压可以达到20几V的耐压，这个是否是用厚氧的工艺做的

hszgl · 发表于 2014-10-21 18:34:55

回复 3# iboywade

可能是。但我见到的厚氧耐压是80V

semico_ljj · 发表于 2014-10-21 19:52:18

回复 1# iboywade

5V差不多是最高了，再高不能超出20％

arican · 发表于 2014-10-24 19:12:29

好东西,值得拥有

fengluan · 发表于 2014-10-25 12:43:08

Vgs电压要限制在合适的范围内，对于H桥的high side两个nmos，只有使用charge pnmp来实现gate 驱动。一般会在gate和source之间加限压电路，最简单的加一个zener 。

jzr1989 · 发表于 2014-10-26 00:14:52

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iboywade · 发表于 2014-10-28 14:33:29

回复 7# fengluan

那么这个限制Vgs的电压要求应该就是栅极的耐压水平吧~

jeffej · 发表于 2022-5-21 20:16:21

double 5V voltage

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