LOD EFFECT的原理

zaelste · 发表于 2014-8-17 15:29:49

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

看见朋友们在网上讨论关于 LOD仿真的TOPIC, 所以从公司的内部文章中选了一篇关于此话题的, 特别讲了LOD现象产生的原因和如何减少LOD现象的方法.

Boron redistribution

1.Reduce STI stress by using less compressiveor tensile gap fill process

2.Reduce thermal budget in order to cause lessdiffusion of channel boron

3. Employ enhanced annealing techniques tofreeze interstitials (flash

anneal)

4. Compensate LOD effect through increase ingate length (MBOPC).Limited success since the LOD effecttypically outweighs the threshold voltage shift through gate length scaling

LOD effect-xmod.pdf (177.72 KB, 下载次数: 974 )

欢迎大家一起讨论, 也可以到公司网站留言.

leenanzeeii · 发表于 2014-8-18 09:45:06

谢谢下载看一下

nareshreddy · 发表于 2014-12-10 02:20:52

sdfdsfdsfdsfdsfdsfdsf

semico_ljj · 发表于 2014-12-10 09:12:18

kankanxian!

xxq_wh · 发表于 2015-7-29 13:01:33

谢谢分享，好东西

wrgu · 发表于 2015-10-14 19:32:25

kankanxian!

毅小祥 · 发表于 2015-11-17 17:32:36

好定西啊

claude · 发表于 2015-11-25 10:08:56

学习一下！

蜗。。。牛 · 发表于 2015-11-25 16:48:35

感谢楼主分享。

semico_ljj · 发表于 2015-11-25 19:00:42

回复 1# zaelste

还不错！

[原创] LOD EFFECT的原理

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

浏览过的版块

站长推荐 /1