低电压下开关不导通怎么办？

居里先生 · 发表于 2014-7-15 17:42:14

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请教各位有什么好办法。t18工艺的，要求1.7V下能正常工作，共模电压0.85V附近的开关电阻达到了几百Ｋ，根本没有办法工作了。由于开关太多，不可能每个都改成电荷泵结构的

freecore · 发表于 2014-7-15 19:31:16

用native device

freecore · 发表于 2014-7-15 19:32:10

或者medium Vth device

居里先生 · 发表于 2014-7-15 21:12:01

回复 2# freecore

已经用了DeepNwell。没有衬偏了，worst case 下vth也有不到900mV。你说的这个native device，是不是没有Pwell用P-sub做Nmos的阱的，这个效果会比DNW还好吗？

居里先生 · 发表于 2014-7-15 21:14:14

回复 3# freecore

谢谢啦我去试一下。不明白再来问您

lvbenqiang123 · 发表于 2014-7-15 23:54:06

回复 2# freecore

请问Native device是指什么样的器件？

居里先生 · 发表于 2014-7-16 08:19:35

回复 2# freecore

Nativedevice是指没有PW的device，直接用P-SUB做PW　　这个说法对吗。那岂不是一般的NMOS管。连衬偏都不能很好的避免？

kwankwaner · 发表于 2014-7-16 09:26:43

回复 1# 居里先生

时序一样的开关用同一个bootstrip，用大电容

semico_ljj · 发表于 2014-7-16 13:40:43

Low Vth MOS

jamesccp · 发表于 2014-7-16 16:30:16

回复 7# 居里先生

一般NMOS管，沟道下面要注东西来确定vt ，native 就不做这一步。vt 会比普通管低不少

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