Nand flash ECC求助!!!

tide · 发表于 2014-5-24 18:25:46

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请问大家，
   假如一个page为 2KB+64B 的flash，
   先将该block 擦除，
   对第一个 page的 2K写数据，然后对第二page 2K 写数据。
   两个page的2k数据写完后，然后向第一个 page 的64B 地址写 ECC 信息，
   写完向第二个 page 的64B 地址写 ECC 信息，
这样，ECC 能写进进去吗？

zhangyuan277 · 发表于 2014-5-24 21:46:18

这应该没有问题的，

zhaowenzhe · 发表于 2014-6-1 14:30:08

不行。NAND flash手册里明确规定页地址必须一次累加上去。

zhaowenzhe · 发表于 2014-6-1 14:35:47

回复 3# zhaowenzhe

这个主要涉及到NAND flash中一组晶体管串的编程问题。例如，当对地址9进行编程操作时，它的阈值电压由当前晶体管和地址0-8的晶体管状态来决定，因此，当地址9的晶体管编程完成后，不允许对0-8的晶体管进行改变阈值电压的操作。同时，一个block的编程操作总次数有限，以防止编程操作而引起的累计误差。

也许平常一个两个的试验，不按照这个规范来也可以正常存入数据，但毕竟不是规范的操作，不建议使用。

具体细节请参见《Inside NAND flash memory》

joyney2 · 发表于 2014-6-25 15:54:07

肯定不行 nand按照页面写操作

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