量产芯片32K晶振高湿下有30%不能启振，求助

Vdsat · 发表于 2014-5-15 15:23:12

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32K晶振设计参数：反馈电阻20M（用工作在线性区的MOS管作为电阻），反相器跨导：10uA/V (TTT30下)，XIN和XOUT输出电容：10uF;
量产后发现高湿环境下（湿度90%）有30%不能启振；各位帮忙分析下，高湿下是什么东西改变了导致不能启振呢？

zhifang · 发表于 2014-5-15 15:49:09

回复 1# Vdsat

是不是高湿条件下由于板子或者电阻的原因，阻值不再是20M，而是显著变小了？

buckaroo · 发表于 2014-5-15 16:05:41

32K晶振设计参数：反馈电阻20M（用工作在线性区的MOS管作为电阻），反相器跨导：10uA/V (TTT30下)，XIN和XO ...
Vdsat 发表于 2014-5-15 15:23

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切记不要用MOSFET电阻，太不靠谱，5M的poly resistor就可以了测量一下该MOSFET电阻两边的电压，多半是有漏电导致压差

peterlin2010 · 发表于 2014-5-15 17:46:56

gain stage 不夠 ??..

jamesccp · 发表于 2014-5-15 23:46:21

多半是input对电源或者地漏电，导致不能偏置在放大区

zhang209a · 发表于 2014-5-16 11:20:36

还是检查下外接元件的值在高湿环境下还对不对，芯片内部应该影响不大，都作了sealring。

hujiaomianhao · 发表于 2014-5-16 12:06:11

bu ming bai!!!

hszgl · 发表于 2014-5-16 14:51:23

高湿环境主要影响哪些参数？
电容？接触电阻？
关注。

RichCA01 · 发表于 2014-5-17 08:48:39

能不能用不同的外接電阻(100K-1M)連接在XIN和XOUT, 測試有無影響。

ovation · 发表于 2014-5-17 15:15:07

回复 1# Vdsat

先测量XIN与XOUT的DC Op点正确不，如果被拉到电源或地则XIN或XOUT对电源或地的低阻通路导致的如果XIN与XOUT OP点正确，则可能是XIN与XOUT之间的Rf被大幅降低导致的
高湿环境下的问题是XIN与XOUT之间的阻抗降低到10M级或更低 XIN及XOUT对地的阻抗降低到10M级或更低

[求助] 量产芯片32K晶振高湿下有30%不能启振，求助

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