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查看: 2904|回复: 7

[求助] MOSFET特性请教

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发表于 2014-4-18 20:56:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在模拟集成电路设计精粹sansen书第一章中,关于MOSFET的特性介绍0154节PPT中有如下一幅图:当MOS管进入速度饱和区域后,跨导gm=w*Cox*vsat,不是与与栅源电压Vgs-Vt无关的吗?为什么左边图中MOS管沟道宽度w为定值时,跨导gm与Vgs-Vt成正比一直增加,曲线最终没有趋于水平。而右边曲线却与速度饱和状态下跨导与栅源电压关系符合。

急救,求大神解答。
 楼主| 发表于 2014-4-18 20:58:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 kidkun 于 2014-4-18 20:59 编辑

QQ截图20140418205102.jpg 0154节PPT图片如此所示。
发表于 2014-4-19 10:29:27 | 显示全部楼层
帮顶一下,我也不解中,有没有可能是图没有画全,到后面了这三条曲线就都趋于稳定的gm值了
 楼主| 发表于 2014-4-22 02:37:23 | 显示全部楼层
大神呢?大神都去哪儿了?
发表于 2014-5-14 14:22:20 | 显示全部楼层
对呀,速度饱和时,vsat不是等于VGS-VT吗,不是随VGS增大线性变化的吗?
 楼主| 发表于 2014-5-15 17:08:05 | 显示全部楼层
回复 5# peleGuo

这个vsat是载流子速度饱和后的速度,不是MOS管进入饱和区的饱和电压。你理解错了。
 楼主| 发表于 2014-6-17 11:35:00 | 显示全部楼层
就没个大仙出来关注下?哎。
发表于 2014-6-17 18:08:46 | 显示全部楼层
gm=Un *Cox w/L *(Vgs-Vth)  成正比没什么不对吧
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