工艺缩小的情况下，为什么非CORE内部的管子尺寸没有缩小很多？

纯白雾隐 · 发表于 2014-3-31 15:37:24

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如题，比如55nm工艺的3.3V管子与110nm工艺下的3.3V管子的最小L并没有跟1.2V管子一样缩小幅度那么大。这是为什么呢？

kboost · 发表于 2014-3-31 17:37:04

缩了就扛不住3.3V了

victor0o0 · 发表于 2014-4-1 09:03:30

耐压∝Tox∝minimum L
就算到了55nm，40nm，能耐3.3V电压的管子最小沟道长度也还在300nm附近

纯白雾隐 · 发表于 2014-4-2 15:20:59

回复 3# victor0o0

那为什么core内部的管子L缩小了那么多还是可以扛得住1.2V的电压呢？

纯白雾隐 · 发表于 2014-4-3 11:49:53

回复 2# kboost

四楼。。。

hujiaomianhao · 发表于 2014-4-3 12:06:35

是不是本来就能抗得住那么多，只是110n余毒更大，个人观点！

fuyibin · 发表于 2014-4-3 14:20:37

如题，比如55nm工艺的3.3V管子与110nm工艺下的3.3V管子的最小L并没有跟1.2V管子一样缩小幅度那么大。这是为 ...
纯白雾隐发表于 2014-3-31 15:37

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core device是做halo implant的， IO device并不做 pocket
所以IO device的punch through voltage还是出不多的

纯白雾隐 · 发表于 2014-4-17 11:28:06

回复 7# fuyibin

..小的愚钝还是不是很明白，是不是core的管子的implant方式跟io device不一样所以core内部管子即使尺寸缩小了也还是可以承受较大的电压？既然这样为什么不把io device的implant方式弄得跟core device一样呢？

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