本人初学ADS，设计AtF54143的偏置的时候总是出错，请教大神

852130367 · 发表于 2014-3-15 20:13:37

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我是按照ADS2008射频电路设计与仿真实例一书中做的，就是下面这个问题，跪谢各位了

QQ截图20140315201531.png

xuanlan · 发表于 2014-3-16 19:52:47

支持下看下！哈哈

telinsun · 发表于 2014-3-18 09:18:49

那是因為ATF54143是enhanced mode P-HEMT, 而Bias utility是使用N(P) type FET公式計算偏壓電路, 所以會算錯

852130367 · 发表于 2014-3-18 16:16:17

回复 3# telinsun

大神啊，真厉害啊

852130367 · 发表于 2014-3-18 16:29:14

回复 3# telinsun

大神，那要设计HEMT的偏置，应该用什么呢？

telinsun · 发表于 2014-3-19 17:59:32

你還是可以用Bias utility來幫你算, 先按Bias point selection, ADS會生成一個DC I-V curve 電路, 然後根據
datasheet調整VGS, VDS掃瞄範圍, 然後跑DC模擬後就會有I-V curve, 找到你要的VGS, 回到Bias utility關掉automatic Extract Device Parameter, 勾選Device bias point, 填入VGS值再讓它跑就行了

或者更快一點, 直接看datasheet, 找到你要的VGS, 填入後直接執行就好了