反向bandgap遇到了一种未知器件，特来请教，谢谢！（内图请进）

zhang209a · 发表于 2014-1-3 16:34:50

耗尽型NMOS作启动电路做bandgap可以提高性能但很多工艺没有这个器件

居里先生 · 发表于 2014-1-3 20:53:16

回复 1# math123

这会不会就是NMOSCAP啊？NMOSCAP就是P阱做下极板，上面是poly做上极板的，其做下极板的P阱掺杂的可以与PMOS管接VDD的阱浓度有不一样吧？所以颜色会有一定差别。不一定哈。听听各位是怎么看的，最近刚刚把一个NMOSCAP当成MOSFET电容提取，结果吃了大亏。

math123 · 发表于 2014-1-3 21:06:16

本帖最后由 math123 于 2014-1-3 21:12 编辑

回复 math123

这会不会就是NMOSCAP啊？NMOSCAP就是P阱做下极板，上面是poly做上极板的，其做下极 ...
居里先生发表于 2014-1-3 20:53

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已经确定了是N型耗尽管了。NMOSCAP当成MOSFET电容提取，你的意思是MOS电容只能工作在积累区，如果工作在反型区电容就会变得很小是吧？

xiaowanzi88 · 发表于 2014-1-4 12:12:15

这很像Richtek用TSMC做的电源芯片。多了一层Dep注入。

chenxiaoming · 发表于 2014-1-4 12:53:15

depletion NMOS

居里先生 · 发表于 2014-1-6 10:07:22

回复 15# math123

是的。我的这个问题非常要命。因为用在失调消除电路中，所以D、S端经常处于中间电平，那么VGS经常会小于阈值电压，因此电容不仅大大减小，而且线性度极差，基本不能保证功能了。浪费了我好长时间，跟大家交流一下。希望大家不是我的问题，我这个问题是最近才发现。找了好久啊

居里先生 · 发表于 2014-1-6 10:08:44

回复 15# math123

说错了。不是的。经常工作在截止区，那电容值会很小，线性度会很差。如果工作在饱和区的话。线性度还是可以的。跟NMOSCAP差不多。

lxc531 · 发表于 2014-3-24 13:29:06

當Current source用!

lxc531 · 发表于 2014-3-24 14:21:06

根据电路结构

protose · 发表于 2014-3-24 17:25:56

直接用VGS=0的depletion NMOS做current source可以省掉很多的bias current generator，不好的就是会增加一层mask。

[解决] 反向bandgap遇到了一种未知器件，特来请教，谢谢！（内图请进）

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