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[原创] Invensense的关键工艺

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发表于 2013-11-26 22:34:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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资料共享里有Invensense的论文可以参考,其关键工艺有两项:一是晶圆级的真空封装工艺;二是陀螺仪的设计。
这里主要讨论晶圆级真空封装。
Invensense采用的是Ge—Al共晶键合工艺。在MEMS的硅片上生长Ge薄膜,在电路衬底上生长Al,两者键合。这个工艺与CMOS工艺基本兼容。
Ge-Al的共晶温度在417摄氏度附近,这个温度对电路的影响可以忍受,并不会使电路的性能发生非常剧烈的变化。且生长Ge和Al的成本很低,适合大规模生产。不像Au-Au键合,成本很高。难道这是Invensense成功的关键因素之一?
不知各位有什么意见?
 楼主| 发表于 2013-11-27 23:14:19 | 显示全部楼层
这算是Invensense成功的关键技术之一吗?
发表于 2014-4-1 15:35:01 | 显示全部楼层
回复 1# kofkoy2000

我認為量產成本與CMOS製成兼容性是成功的因素
 楼主| 发表于 2014-4-21 21:20:19 | 显示全部楼层
回复 3# conradalf
完全同意你的观点,不知道他是怎么说服台积电给他帮助的?
发表于 2014-8-15 18:36:17 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2017-11-14 13:30:49 | 显示全部楼层
回复 1# kofkoy2000


    请问哪里有资料下载?
谢谢
发表于 2017-12-25 22:52:26 | 显示全部楼层
回复 1# kofkoy2000


   thank you.
发表于 2020-7-21 20:39:57 | 显示全部楼层
资料呢?
发表于 2020-12-20 21:28:44 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2021-1-10 10:08:47 | 显示全部楼层
good job
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