电荷泵的电容选择

vvb6

gds

测试参数

最近做的项目要用到电荷泵，所以关乎到电容的选择，工艺厂给了两个阱电容的gds，因为我们做的是数字芯片，边上的人对电容的东西也不了解，有以下疑问，想请大家帮忙解疑。

1.
图中的两个电容，NMP和NWA是什么意思？

2.
2.两个电容的细节我放大了在图中显示，区别是NWP的POLY比NWA的POLY小，有疑问的地方是多晶所在区域定义的有源区，它也没有用于注入啊，掺杂什么的，那有什么作用？

3.
第二张图是工艺厂测试的电容参数，那个KEITHLEY也没用过，想知道蓝色的Cp_AB和红色的Gp_AB表示什么参数？

希望大神云集的论坛给予我帮助~谢谢

nool

回复 11# vvb6


    Gp：并联电导
    Poly 包 Active，部分poly下面没有场氧，所以它的Gp也偏大
    Active 包 Poly，poly下面都有场氧，所以它的Gp相对小些

xjf20072608

这个应该是mos电容，CV曲线说明了

vvb6

回复 2# xjf20072608


   首先，谢谢你的回答，不过我觉得在N阱中一圈N+注入，不像是MOS结构电容啊；而且mos电容的曲线从-到+的变化由积累→耗尽→反型也不是这样的吧。

ericking0

看曲线，除非K家测试频率很高，导致反型无法弛豫，才会导致负压反型电容无法翘上去

TO LZ
1/2的区别在于是Active包Poly还是Poly包Active
电容应该由较小的决定
Gp不知道是什么东东

xjf20072608

回复 3# vvb6


    这种结构就是MOS电容，叫AMOS。
   你说的曲线从-到+的变化由积累→耗尽→反型 这种是MOS管电容
   mos电容和mos管电容不是一个东东哦。

nool

poly与nwell的之间的电容
一圈n+只是为了给nwell低阻连接
红线是电容的并联电导

nool

回复 5# xjf20072608


    不要瞎捣浆糊哦
    标准的CMOS工艺里有AMOS?
    mos cap 通常是nmos做在nwell里
    利用-vth特性使mos的V型C-V curve 向V负轴平移
    当V>0时，得到更平滑的电容曲线
    根据图里面poly没有盖到active area上面可知，这不是mos

xjf20072608

回复 7# nool


    抱歉，我不明白你说的“瞎捣浆糊”是什么意思。

    AMOS电容是兼容标准CMOS工艺的。

vvb6

回复 5# xjf20072608


   我也意识到我把mos电容和mos管电容混淆了，不过我对你说的AMOS不了解。我会去了解一下的，谢谢你的回答。