P+和有源区有什么不同

yj5520379 · 发表于 2013-10-21 15:58:08

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那位大神能说说P+和有源区有什么不同吗，
还有我在画layout时可以把有源区画的比p+大吗，这时MOS管的有效宽度W还是原来的那样吗？

fuyibin · 发表于 2013-10-21 16:44:45

active和P+是两码事
MOSFET区的N+or P+就是active

sodede · 发表于 2013-10-21 17:31:34

楼主，我觉得你不清楚CMOS工艺步骤啊.

yj5520379 · 发表于 2013-10-21 20:28:54

回复 2# fuyibin

那画版图时DIFF和PPII会有一个大一个小啊。

fuyibin · 发表于 2013-10-21 20:32:27

回复 4# yj5520379

不明白你说的什么，具体要去看design rule

yj5520379 · 发表于 2013-10-21 20:33:39

回复 3# sodede

就是涉及到STI时有人说：没有有源区的地方就是STI，工艺层次中不是都有AA和NPII、PPII，我目的是不想让STI紧靠在P+这里，所以请教一下。

sodede · 发表于 2013-10-22 09:15:43

回复 6# yj5520379
我还是从工艺步骤方面给你解释一下：
工艺上，先做有源区光刻，在做栅淀积，然后再做N+或P+掺杂。
之所以，N+（P+）面积要大于有源区，是为了完全覆盖栅漏，使其掺杂均匀。
假设N+（P+）小于有源区，源漏肯定有一部分没有掺杂上，寄生电阻就会大。由于源漏在W方向上减小，栅宽理论上会减小。

不知楼主想问的是不是这个。

yj5520379 · 发表于 2013-10-22 11:16:28

回复 7# sodede

是这个，受教，谢啦，

wfcawy · 发表于 2013-10-22 13:08:00

for mosfet, active region can define the W of the transistor, and the L of the transistor is defined by gate length. P2.28 in Razavi's book should help you a better understanding.

loopgain · 发表于 2013-10-22 16:05:06

不同工艺定义的名称还不一样

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