ESD性能仿真

heavy_ranger · 发表于 2013-10-14 10:22:28

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现在正在学习ESD电路设计，有一点疑问，ESD性能能够在电路设计完成以后通过电路仿真进行验证么？如果可以的话，需要什么数据才能满足仿真的需求？

ruinsnku · 发表于 2013-10-14 20:37:42

不知道你所谓的电路设计是从器件设计开始呢还是直接用现有的器件搭GCNMOS之类的电路？
如果是前者，可以用TCAD从工艺（用TCAD工具包中的sprocess）开始设计器件，而后用设计好的结构来搭电路进行器件仿真（用TCAD工具包中的sdevice），可以仿器件的TLP瞬态特性，如ggNMOS的snap-back特性等等来进行验证，这些可以在synopsys sentaurus的training中学到。这些特性在cadence中是无法仿真的。
如果是后者，则在cadence中并不能仿真ESD设计所必需的大电流效应以及热效应，因为缺乏相应的模型。只能仿仿诸如GCNMOS在一个瞬态电压来临时MOS管栅极能够藕合到多少电压什么的。

way8210 · 发表于 2013-10-15 11:34:39

不是很懂也

yaofei618 · 发表于 2013-10-15 17:45:21

2楼回复的挺好的，学习了。

heavy_ranger · 发表于 2013-10-15 22:19:00

感谢二楼的回复。

我还有一个问题，如果使用TCAD来仿真的话，是否能够从foundry得到所需的工艺数据呢？如果不能直接由foundry获得相关数据，由spice model文件，rcx文件能够反推出TCAD需要的工艺数据么？

ruinsnku · 发表于 2013-10-20 22:10:08

回复 6# heavy_ranger

貌似一般的foundry都不愿意提供工艺流程参数，毕竟涉及到商业机密。不过由model是可以反推出个大概的参数的，但是model反推出的可能不太准，需要几次流片来做校准。

ljfaqu · 发表于 2013-10-23 15:15:42

请教如何从spice model或者xrc之后反推到TCAD的参数呢
非常感谢

ruinsnku · 发表于 2013-10-23 19:09:58

回复 8# ljfaqu

最简单的一种逆推方式可以根据FAB给出的各种器件特性，采用TCAD仿真来推导关键层的离子注入浓度（此时可采用标准的注入能量和热过程），这些对ESD器件的Vt1和Vh尤为重要。当然这种逆推必然不精确，需要流片进行校准。

semico_ljj · 发表于 2013-11-10 21:36:36

回复 2# ruinsnku

nicer

mcm908911 · 发表于 2013-11-19 15:49:20

2楼说的挺对，现在我也遇到这个问题了。。。跪了都

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