请教Psub2的问题，谢谢大侠们！

motofatfat · 发表于 2013-5-24 09:22:20

是的
如果沒有 deep nwell
nwell 也是圍成一圈, P_SUB在深層一樣會相連
只是比沒 nwell 好一些
還有成本ㄉ考慮
多ㄌ deep nwell 就多點成本
是否有必要就看設計者了

peterlin2010 · 发表于 2013-5-24 09:44:37

樓主是要做 charge pump 且是負電壓輸出嗎?

電位  layout 聽說很麻煩  , 有一說法是在NMOS 下使用 NBL  (n buried layer)  ,
  類似你圖上說 deep n_well ..
NBL 給正電壓來隔離電位 .

細節請做過  "負壓" charge pump 來說..

allen_tang · 发表于 2013-5-24 10:26:19

负压charge-pump我做过，电压范围从-16V-16V范围，不过我用的都是某fab的NBL制程和某fab的DNW制程，直接与sub实现隔离。
至于psub2，我只在做ip的时候用过，基本就是让lvs区别avss和dvss。
贴个cross section，随便画的，供参考：

appleyuchi2 · 发表于 2013-5-24 11:21:44

回复 31# motofatfat

嗯，我只是学习使用，没有商业、成本用意，因为同事们不怎么肯说，才来论坛问的
谢谢您的回答，我基本理解了，谢谢！！！

appleyuchi2 · 发表于 2013-5-24 11:27:02

回复 32# peterlin2010

嗯，我看见回复里面有朋友贴图了，谢谢您的回答~

appleyuchi2 · 发表于 2013-5-24 11:32:03

回复 32# peterlin2010

我是菜鸟，只是学习，不做的，确实是charge pump，谢谢您的回答~

appleyuchi2 · 发表于 2013-5-24 12:02:55

回复 33# allen_tang

您好，谢谢您画的图
第一个图我能理解，第二图我稍微添加了几笔，您看是我理解成的这样吗？谢谢！！！

allen_tang · 发表于 2013-5-24 12:27:15

回复 37# appleyuchi2

我明白你的意思，那边会有pwell注入，具体的算法都是foundry给的mask-tooling来计算Pwell的范围。
至于要说一个DNW里怎么会有两个不同电位的p-well出现，我想大概都是为了节约面积的考虑，毕竟多切出一个DNW还是非常浪费面积的。
我们之前一直都这么做，而且foundry给的解释也是可以，所以基本没太大问题。

peterlin2010 · 发表于 2013-5-24 14:21:51

應該說第 2圖電路看來是

vss0v -> diode_p -> diode_n -> DNW 高壓.

vss-6v -> diode_p -> diode_n -> DNW 高壓.
DNW 間就是電阻相連 .

但是 pn juction 如果碰到 vss-6v 是 pulse ..就是非DC 有高頻 noise
會不會因為 pn jucton 電容 couple ?? 雖然 diode 可以隔逆向負壓 vss-6v
, 但是如果是 pulse noise ?

zhuyujun · 发表于 2013-5-24 14:30:11

回复 33# allen_tang

此贴必火.........

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