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[原创] 3.3V NMOS 用来做电容，Gate一端，SDB为一端，能耐多大交流电压？

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fallangel
发表于 2012-12-28 16:13:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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3.3V NMOS 用来做电容，Gate一端，SDB为一端，能耐多大交流电压？
电容, 电压

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lwjee
发表于 2012-12-28 18:59:24 | 显示全部楼层
一般1.2倍电源电压，stress不能太高。
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发表于 2012-12-29 00:14:05 | 显示全部楼层
回复 2# lwjee


   这个有什么说法吗？ 在那能看到这类的东西
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lwjee
发表于 2012-12-29 18:55:52 | 显示全部楼层
回复 3# selfsalvation04


    Stress大会影响MOS寿命，甚至直接击穿。大家都这么说。
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发表于 2012-12-30 01:03:20 | 显示全部楼层
回复 4#奥，知道了 。谢谢
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ksg12
发表于 2012-12-30 08:31:44 | 显示全部楼层
cmos 5v,能耐到7v, 工艺差距也比较大
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fallangel
 楼主| 发表于 2013-1-4 11:25:18 | 显示全部楼层
如果考虑Stress，Passive RFID Tag，只是有能量场的时候才会被激活，时间极短，并不是一个恒定有源的应用，是否考虑寿命和其他产品会不一样？
比如3.3V MOS 承受6V左右AC电压，但是时间很短。
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semico_ljj
发表于 2013-1-4 12:35:27 | 显示全部楼层
“比如3.3V MOS 承受6V左右AC电压，但是时间很短。”理论上可以，但时间“多短”和工艺有很大关系，还有环境（温度，湿度）
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ericking0
发表于 2013-1-5 19:10:40 | 显示全部楼层
gate oxide不见得有那么脆弱
看看PCM测试里面的BVGS
原来测过老工艺的200A-的gate oxide可以抗25V+
只是foundry不会承诺很高的BVGS给自己找麻烦
而且栅氧击穿不可恢复

总之，如果要看极值的话看PCM报告里面的BVGS
至于具体用多少，保守就直接问foundry，如果有经验就看对可靠性有多大的容忍程度
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笑脸先生
发表于 2013-11-27 16:13:14 | 显示全部楼层
回复 9# ericking0


   请问PCM测试是什么测试呢
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