阈值电压问题

敏兹 · 发表于 2012-12-6 21:49:44

在.13的工艺中，我也发现了L越大，阈值越小，这可与微电子器件理论里的结论相反，那里说的由于短沟道效应，Vt随L的减小而减小，不知道为什么

ygchen2 · 发表于 2012-12-7 05:10:19

在.13的工艺中，我也发现了L越大，阈值越小，这可与微电子器件理论里的结论相反，那里说的由于短沟道效应， ...
敏兹发表于 2012-12-6 21:49

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L在多大范围的现象？如果L很小短，可能会看到RSCE，反短沟效应。在90NM或以下比较明显，没注意.13的情况。

fuyibin · 发表于 2012-12-7 09:42:10

回复 12# ygchen2

可能是大家对工艺和器件不太熟悉，我在好几年前就在坛子里发过帖子解释过这种现象
大家正常思维都是短沟道效应，length越短，Vth越小，这只是针对比较老的工艺和器件结构
从180nm开始，器件结构改变，
所以我准备写个帖子解释这个问题

26000 · 发表于 2012-12-7 12:31:58

衬偏效应

cqxifeng · 发表于 2012-12-7 12:54:54

不错。。呵呵

ygchen2 · 发表于 2012-12-7 23:25:30

回复 13# fuyibin

有劳了，相信很多人会因此受益的。
据我所知，反短沟效应和器件结构有直接关系，尤其是和为了减小短沟效应采取的halo注入，不知这种技术从什么尺寸开始使用？是180nm吗？

selfsalvation04 · 发表于 2012-12-8 11:18:33

期待发布帖子

潇洒的蛋壳Chris · 发表于 2013-2-25 20:44:17

不要鄙视新手啊你们老手都是从新手过来的 5L说的对

zhj_simon · 发表于 2013-2-25 21:47:35

回复 ygchen2

可能是大家对工艺和器件不太熟悉，我在好几年前就在坛子里发过帖子解释过这种现象
大家正常思维都是短沟道效应，length越短，Vth越小，这只是针对比较老的工艺和器件结构
从180nm开始，器件结构改变，
所以我准备写个帖子解释这个问题
fuyibin 发表于 2012-12-7 09:42

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言而无信？？？期待大牛出现

fuyibin · 发表于 2013-2-25 21:55:32

回复 19# zhj_simon

我已经写了一个帖子详细解释反短沟道效应，你可以搜索一下

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