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[求助] 工艺角(process corner)问题请教

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发表于 2012-11-7 13:54:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在做工艺角仿真的时候,发现ss和ff情况下的仿真结果不一样,
小弟初学,不是太了解ss和ff的工艺角有什么不同

我现在的理解是:
ss的阈值电压比较高
ff的阈值电压比较低

不知道对不对?其他方面还有哪些区别或者不同的地方
请大侠指点
发表于 2012-11-8 10:46:02 | 显示全部楼层
回复 1# guoweiqust

与阈值电压没有关系,因为在仿真前你所用的晶体管的类型是确定的。ff-corner 比ss-corner考虑的管子的寄生参数稍微理想一些,你可以看看你仿真用的spice model,相同晶体管在ff-corner和ss-corner的参数不同!
   我对这个理解的也不是很深!
 楼主| 发表于 2012-11-8 10:53:16 | 显示全部楼层
回复 2# zhangqiong137


    我也是新手啊,model中有好多参数,都不知道什么意思
是不是model中的参数没有统一的名字,各个工艺都有自己特有的名字
发表于 2012-11-8 11:08:13 | 显示全部楼层
回复 3# guoweiqust

你可以针对同一种晶体管(比如lvtpfet)看看ff-corner 和ss-corner的参数,对于同一种参数ss-corner好像比ff-corner的稍微大一些。
 楼主| 发表于 2012-11-8 13:02:41 | 显示全部楼层
回复 4# zhangqiong137


   我的model中没有你说的那个参数,可能工艺不同参数就不一样吧
   各个参数大小ss和ff大小不一样,有的是ss大有的是ff大
   关键是各个model中的参数的意思不知道
发表于 2012-11-8 13:26:17 | 显示全部楼层
corner的差别不仅仅体现在vth上,这只是其中比较重要的一个,只要是跟实际制造过程相关的参数,都会有变化,比如栅氧厚度,扩散浓度等;绝大部分参数基本都服从正态分布,tt corner当然就是出现最多的了,如果以此为基准,那么比tt情况更快的就是fast corner,比tt情况更慢的就是slow corner。
 楼主| 发表于 2012-11-8 16:14:10 | 显示全部楼层
回复 6# liiru


    谢谢指点
    这样的话,在我分析电路的时候,主要就是考虑Vth的影响了是吧?
发表于 2012-11-9 09:03:54 | 显示全部楼层
我会比较关注两个参数,vth和ids,如果要使你的电路风险最小,电路要有足够的裕度,所有的PVT(process、voltage、temperature)组合仿真都通过,process是5个 tt ss ff fnsp snfp ,一般情况下最差的情况就是ss 、最高温度、最低电压,如果这种情况能够仿真通过,那么这个电路就基本没问题了。
发表于 2014-3-5 11:33:36 | 显示全部楼层
若从工艺角度将,在只调节 WELL IMP process 的情况下,SS 的VTH 要高一些,器件翻转会慢,IDS 偏小,但是漏电会小,FF 为VTH 偏低,器件翻转会快,但是漏电会大,IDS 也会偏大,电路驱动能力相对来说较强。做SS 和FF 主要是在看当前设计的window 大小和所在的方位。验证设计流油的窗口是否合理,设计和制造耦合的是否合理。
发表于 2014-6-3 09:26:36 | 显示全部楼层
谢谢!
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